[发明专利]阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201910934744.3 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN110707065B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 郭凡;张孟梓;淦君君 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/60 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本发明公开了一种阵列基板及显示面板,阵列基板包括显示区和非显示区,非显示区包括移位寄存电路;阵列基板包括衬底基板、依次位于衬底基板一侧的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层;第一金属层包括栅极线,栅极线包括第一部和第二部,在衬底基板所在平面的正投影第一部与第二部具有第一间隔,第二部与移位寄存电路电连接;阵列基板包括第一电阻,第一电阻的两端分别与第一部和第二部电连接,第一电阻位于第二金属层或第三金属层;第一绝缘层设有第二电阻,第二电阻的两端分别与第一部和第二部电连接;第二电阻的电阻值大于第一电阻的电阻值。本发明增强了阵列基板中移位寄存电路的静电防护能力。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
显示面板包括阵列基板,阵列基板在生产过程中,会制作很多金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体,这些金属线或多晶硅,会聚集静电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高。金属线或多晶硅越长,收集的静电荷也就越多,电压就越高,一般阵列基板中栅极金属线的长度较长,集聚的静电荷也最多,在栅极金属线与非显示区的移位寄存电路连接之前,栅极金属线上的静电荷可能对移位寄存电路中电子器件或者在栅极金属线上的电子器件存在静电击伤的风险,导致显示面板失效。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种改善移位寄存电路静电防护能力的阵列基板及显示面板。
一方面,本发明提供了一种阵列基板,包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述非显示区包括移位寄存电路;
所述阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板一侧的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的第一金属层、位于所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板一侧的第二金属层、位于所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的第三绝缘层、以及位于所述第三绝缘层远离所述衬底基板一侧的第三金属层;
所述第一金属层包括栅极线,所述栅极线包括第一部和第二部,所述第一部在所述衬底基板所在平面的正投影与所述第二部在所述衬底基板所在平面的正投影之间具有第一间隔,所述第二部与所述移位寄存电路电连接;
所述阵列基板包括第一电阻,所述第一电阻的两端分别与所述第一部和所述第二部电连接,所述第一电阻位于所述第二金属层或所述第三金属层;
所述第一绝缘层靠近所述衬底基板的一侧设有第二电阻,所述第二电阻的两端分别与所述第一部和所述第二部电连接;
所述第二电阻的电阻值大于所述第一电阻的电阻值。
另一方面,本发明还提供了一种显示面板,包括上述阵列基板。
与现有技术相比,本发明提供的阵列基板及显示面板,至少实现了如下的有益效果:
本发明的阵列基板通过与栅极线的第一部和第二部电连接的第一电阻并联了一个大电阻第二电阻,在制作时先制作第二电阻,第二电阻与栅极线的第一部和第二部电连接,将栅极线上的静电荷在第二电阻处释放导出,当第一电阻再与第一部和第二部电连接后,已经没有静电荷向移位寄存电路移动,防止了静电荷击伤移位寄存电路。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明提供的阵列基板的一种平面结构示意图;
图2是图1中A-A’向的一种剖面图;
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