[发明专利]半导体封装在审

专利信息
申请号: 201910935922.4 申请日: 2019-09-29
公开(公告)号: CN111009519A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 洪志硕;金志勳 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/544
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 黄隶凡
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,包括:

下部半导体芯片,包括第一半导体衬底、在所述第一半导体衬底的底表面上的多个外部连接垫以及电连接到所述多个外部连接垫的多个贯穿电极,所述第一半导体衬底包括在所述第一半导体衬底的有源表面上的第一半导体装置以及在与所述有源表面相对的所述第一半导体衬底的非有源表面上的由凹陷区界定的突出部;以及

至少一个上部半导体芯片,堆叠在所述下部半导体芯片的所述突出部上且电连接到所述多个贯穿电极,所述至少一个上部半导体芯片包括第二半导体衬底,所述第二半导体衬底包括在所述第二半导体衬底的有源表面上的第二半导体装置,

其中所述至少一个上部半导体芯片具有比所述下部半导体芯片的水平面积小的水平面积,以在垂直方向上叠加在所述突出部的至少一部分上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述下部半导体芯片还包括覆盖所述突出部的顶表面的第一覆盖绝缘层,且所述至少一个上部半导体芯片还包括覆盖所述第二半导体衬底的所述有源表面的第二覆盖绝缘层,

所述半导体封装还包括多个接合垫,所述多个接合垫对所述上部半导体芯片与穿透所述第一覆盖绝缘层及所述第二覆盖绝缘层的所述多个贯穿电极之间的空间进行电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述多个接合垫的底表面与所述凹陷区的下表面处于相同的水平高度。

4.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述凹陷区的下表面处于比所述多个接合垫的底表面低的水平高度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述至少一个上部半导体芯片的侧表面与所述突出部的侧表面在垂直方向上对准。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述至少一个上部半导体芯片与所述突出部在垂直方向上彼此交叠。

7.根据权利要求1所述的半导体封装,还包括:

多个芯片连接端子,将所述多个贯穿电极电连接到所述至少一个上部半导体芯片;以及

底部填充材料层,被配置成填充所述突出部的顶表面与所述至少一个上部半导体芯片之间的空间以环绕所述多个芯片连接端子,所述底部填充材料层从所述空间朝外延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述底部填充材料层覆盖所述突出部的侧表面的至少一部分。

9.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述底部填充材料层覆盖所述突出部的侧表面以及与所述突出部相邻的所述凹陷区的下表面的一部分。

10.根据权利要求7所述的半导体封装,还包括:

模塑构件,所述模塑构件被配置成覆盖所述下部半导体芯片的顶表面、所述至少一个上部半导体芯片的侧表面以及所述突出部的侧表面,所述模塑构件被配置成填充所述凹陷区。

11.一种半导体封装,包括:

下部半导体芯片,包括第一半导体衬底、被配置成覆盖突出部的顶表面的第一覆盖绝缘层、在所述第一半导体衬底的底表面上的多个外部连接垫以及电连接到所述多个外部连接垫的多个第一贯穿电极,所述第一半导体衬底包括在所述第一半导体衬底的有源表面上的第一半导体装置以及在与所述有源表面相对的所述第一半导体衬底的非有源表面上的由第一凹陷区界定的所述突出部;

至少一个上部半导体芯片,包括第二半导体衬底以及第二覆盖绝缘层,所述第二半导体衬底堆叠在所述下部半导体芯片的所述突出部上且包括在所述第二半导体衬底的有源表面上的第二半导体装置,所述第二覆盖绝缘层被配置成覆盖所述第二半导体衬底的所述有源表面;以及

多个接合垫,跨越所述第一覆盖绝缘层及所述第二覆盖绝缘层,所述多个接合垫将所述至少一个上部半导体芯片电连接到所述多个第一贯穿电极。

12.根据权利要求11所述的半导体封装,其中所有的所述至少一个上部半导体芯片被配置成在垂直方向上与所述突出部交叠。

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