[发明专利]半导体封装在审

专利信息
申请号: 201910935922.4 申请日: 2019-09-29
公开(公告)号: CN111009519A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 洪志硕;金志勳 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/544
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 黄隶凡
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

一种半导体封装包括:下部半导体芯片,包括第一半导体衬底、在第一半导体衬底的底表面上的多个外部连接垫以及电连接到多个外部连接垫的多个贯穿电极,第一半导体衬底包括在其有源表面上的第一半导体装置以及在与有源表面相对的第一半导体衬底的非有源表面上的由凹陷区界定的突出部;以及至少一个上部半导体芯片,堆叠在下部半导体芯片的突出部上且电连接到多个贯穿电极,至少一个上部半导体芯片包括第二半导体衬底,第二半导体衬底包括在第二半导体衬底的有源表面上的第二半导体装置。本公开的半导体封装具有改善的连接可靠性。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2018年10月4日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2018-0118491号的权利,所述韩国专利申请的全部公开内容并入本申请供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种半导体封装,且更具体来说,涉及一种包括多个半导体芯片的半导体封装。

背景技术

根据电子产业的快速发展以及用户的需求,电子装置已变得更小型(compact)、通用(versatile)和/或具有更大的容量,且因此,需要包括两种或更多种的多个半导体芯片的半导体封装。

另外,随着半导体封装中所包括的所述多个半导体芯片的连接构件的数目增大,可期望连接构件的精细节距和/或连接可靠性。

发明内容

本发明概念提供一种半导体封装,所述半导体封装包括具有精细节距的连接构件以及确保连接构件之间的连接可靠性的多个半导体芯片。

根据本发明概念的一方面,提供一种半导体封装,所述半导体封装包括:下部半导体芯片,包括第一半导体衬底、在所述第一半导体衬底的底表面上的多个外部连接垫以及电连接到所述多个外部连接垫的多个贯穿电极,所述第一半导体衬底包括在所述第一半导体衬底的有源表面上的第一半导体装置以及在与所述有源表面相对的所述第一半导体衬底的非有源表面上的由凹陷区界定的突出部;以及至少一个上部半导体芯片,堆叠在所述下部半导体芯片的所述突出部上且电连接到所述多个贯穿电极,所述至少一个上部半导体芯片包括第二半导体衬底,所述第二半导体衬底包括在所述第二半导体衬底的有源表面上的第二半导体装置,其中所述至少一个上部半导体芯片具有比所述下部半导体芯片的水平面积小的水平面积,以在垂直方向上全部叠加(superimpose)在所述突出部的至少一部分上。

根据本发明概念的另一方面,提供一种半导体封装,所述半导体封装包括:下部半导体芯片,包括第一半导体衬底、被配置成覆盖突出部的顶表面的第一覆盖绝缘层、在所述第一半导体衬底的底表面上的多个外部连接垫以及电连接到所述多个外部连接垫的多个第一贯穿电极,所述第一半导体衬底包括在所述第一半导体衬底的有源表面上的第一半导体装置以及在与所述有源表面相对的所述第一半导体衬底的非有源表面上的由第一凹陷区界定的所述突出部;至少一个上部半导体芯片,包括第二半导体衬底以及第二覆盖绝缘层,所述第二半导体衬底堆叠在所述下部半导体芯片的所述突出部上且包括在所述第二半导体衬底的有源表面上的第二半导体装置,所述第二覆盖绝缘层被配置成覆盖所述第二半导体衬底的所述有源表面;以及多个接合垫(bonded pad),跨越所述第一覆盖绝缘层及所述第二覆盖绝缘层,所述多个接合垫将所述上部半导体芯片电连接到所述多个第一贯穿电极。

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