[发明专利]一种生长基板及微元件的转移方法

权利要求书

1.一种生长基板，其特征在于，所述生长基板包括：

透明衬底；

多个微元件，生长于所述透明衬底一侧，且多个所述微元件间隔设置；

多个透明间隔件，相邻所述微元件之间的间隔内设置有所述透明间隔件，其中，在激光照射作用下，所述微元件与所述透明衬底脱离，而所述透明间隔件与所述透明衬底不脱离；

转移时，所述透明间隔件在键合胶层对应透明间隔件的位置形成凹槽，使所述微元件的至少部分侧面从该凹槽中露出。

2.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，

所述透明间隔件的材质为半导体材质，所述透明间隔件的材质具有第一禁带宽度，所述微元件的外延层具有第二禁带宽度，所述第一禁带宽度大于所述第二禁带宽度。

3.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，

所述透明间隔件的材质为绝缘体材质，所述透明间隔件的材质包括氧化物或氮化物。

4.根据权利要求3所述的生长基板，其特征在于，

所述氧化物包括氧化硅、氧化铝、氧化钛中至少一种，所述氮化物包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，

所述透明间隔件的厚度不超过所述微元件的厚度。

6.根据权利要求5所述的生长基板，其特征在于，所述微元件包括：

第一掺杂外延层，与所述透明衬底直接接触，包括第一区域和第二区域；

发光层，覆盖所述第一区域；

第二掺杂外延层，覆盖所述发光层远离所述第一掺杂外延层一侧表面；

第一电极，设置于所述第二掺杂外延层远离所述发光层一侧；

第二电极，自所述第二区域延伸至与所述第一电极齐平，且所述第一电极和所述第二电极在所述第一掺杂外延层上的正投影不重合；

其中，所述透明间隔件在远离所述透明衬底的方向上不凸出于所述第一掺杂外延层。

7.根据权利要求5所述的生长基板，其特征在于，

所述透明间隔件的厚度为0.3-6微米。

8.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，

所述透明间隔件为环形，且环绕在所述微元件周围。

9.一种微元件的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：

将生长基板设置有所述微元件的一侧嵌入键合胶层中，所述键合胶层与所述生长基板的透明衬底设置有所述微元件的一侧表面齐平；其中，所述生长基板包括：所述透明衬底、多个所述微元件和多个透明间隔件；多个所述微元件生长于所述透明衬底一侧，且多个所述微元件间隔设置，相邻所述微元件之间的间隔区域内设置有所述透明间隔件；

激光从所述透明衬底背离所述键合胶层一侧进行照射，所述微元件与所述透明衬底脱离，而所述透明间隔件与所述透明衬底不脱离，所述激光穿过所述透明间隔件并作用于所述透明间隔件对应位置处的所述键合胶层，以使得至少部分所述键合胶层灰化；

将所述透明衬底和所述透明间隔件撤去，所述键合胶层对应所述透明间隔件的位置形成凹槽，所述微元件的至少部分侧面从所述凹槽中露出；

利用拾取转移头将所述微元件从所述键合胶层中转移。

10.根据权利要求9所述的转移方法，其特征在于，所述利用拾取转移头将所述微元件从所述键合胶层中转移，之前，所述转移方法还包括：

加热或者UV光照使所述键合胶层的粘性降低。