[发明专利]一种生长基板及微元件的转移方法有效
申请号: | 201910936701.9 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN112582343B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 姚志博;夏继业;曹轩;郭恩卿 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L27/15 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生长 元件 转移 方法 | ||
本申请公开了一种生长基板及微元件的转移方法,所述生长基板包括:透明衬底;多个微元件,形成于所述透明衬底一侧,且多个所述微元件间隔设置;多个透明间隔件,相邻所述微元件之间的间隔内设置有所述透明间隔件,其中,在激光照射作用下,所述微元件与所述透明衬底脱离,而所述透明间隔件与所述透明衬底不脱离。通过上述方式,本申请能够在激光剥离后使微元件不全部陷入键合胶层中。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种生长基板及微元件的转移方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)芯片显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点,成为人们追求新一代显示技术的研究热点。
目前,在LED显示面板制备过程中,激光剥离和批量转移是十分重要的两道工艺。激光剥离的具体过程为:首先将带有透明衬底的多个LED芯片完全压合入键合胶层中,以使得多个LED芯片被键合胶层固定;然后激光从透明衬底一侧进行照射,以使得多个LED芯片与透明衬底分离。批量转移的具体过程为:利用拾取转移头将多个LED芯片进行转移。
本申请的发明人在长期研究过程中发现,由于激光剥离时LED芯片完全陷入键合胶层中,后续拾取转移头拾取LED芯片较为困难,且转移时较为费力。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种生长基板及微元件的转移方法,能够在激光剥离后使微元件不全部陷入键合胶层中。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种生长基板,所述生长基板包括:透明衬底;多个微元件,生长于所述透明衬底一侧,且多个所述微元件间隔设置;多个透明间隔件,相邻所述微元件之间的间隔内设置有所述透明间隔件,其中,在激光照射作用下,所述微元件与所述透明衬底脱离,而所述透明间隔件与所述透明衬底不脱离。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种微元件的转移方法,所述转移方法包括:将生长基板设置有所述微元件的一侧嵌入键合胶层中,所述键合胶层与所述生长基板的透明衬底设置有所述微元件的一侧表面齐平;其中,所述生长基板包括:所述透明衬底、多个所述微元件和多个透明间隔件;多个所述微元件生长于所述透明衬底一侧,且多个所述微元件间隔设置,相邻所述微元件之间的间隔区域内设置有所述透明间隔件;激光从所述透明衬底背离所述键合胶层一侧进行照射,所述微元件与所述透明衬底脱离,而所述透明间隔件与所述透明衬底不脱离;将所述透明衬底和所述透明间隔件撤去,所述键合胶层对应所述透明间隔件的位置形成凹槽,所述微元件的至少部分侧面从所述凹槽中露出;利用拾取转移头将所述微元件从所述键合胶层中转移。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请所提供的生长基板上的多个微元件之间间隔设置,且间隔区域内设置有透明间隔件。当激光剥离时,将生长基板设置有微元件的一侧嵌入键合胶层中,键合胶层与透明衬底设置有微元件的一侧表面齐平;激光从透明衬底背离键合胶层一侧进行照射时,微元件与透明衬底脱离,而透明间隔件与透明衬底不脱离;随后透明间隔件随透明衬底一并被移除,键合胶层对应透明间隔件的位置形成凹槽,微元件从该凹槽中露出。即此时微元件的侧面并未被键合胶层完全包裹,微元件部分裸露,该方式有利于微元件与拾取转移头接触,方便拾取转移头将其从键合胶层中移走,且降低移走时键合胶层的阻力,提高微元件的转移效率。
此外,在激光照射时,激光可以透过透明间隔件作用于位于透明间隔件下方的键合胶层,键合胶层在激光的作用下可能出现灰化,而丧失粘性,从而进一步降低转移头将微元件从键合胶层中移走时所受到的阻力,进一步提高微元件的转移效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1为本申请生长基板一实施方式的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造