[发明专利]基板处理装置和检查方法在审
申请号: | 201910936746.6 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN111009478A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 滨田佳志;桾本裕一朗;羽山隆史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687;G03F7/30 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 检查 方法 | ||
本发明提供一种使摄像图像的质量提高的基板处理装置和检查方法,该摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时的检查中使用。对被处理基板进行处理的基板处理装置具有:旋转保持部,其保持被处理基板并使该被处理基板旋转;摄像部,该摄像部的摄像区域包括被所述旋转保持部保持的被处理基板的表面;光源,其向所述摄像部的所述摄像区域照射光;检查部,其基于所述摄像部的摄像结果来进行检查;以及选择部,其基于得到该摄像结果时的被处理基板的朝向来选择要在所述检查中使用的摄像结果。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和检查方法。
背景技术
专利文献1公开了一种判定从位于处理对象物的上方的喷嘴朝向该处理对象物的上表面流下的液体的流下状态的流下判定方法。在该方法中,以将从喷嘴到处理对象物的上表面的液体的流下路径包括在摄像视野中的方式进行摄像。接着,在拍摄到的图像中的与流下路径对应的评价对象区域内,针对由沿液体的流下方向排成一列的像素构成的每个像素列,计算属于该像素列的像素的像素值的合计值。而且,基于沿着与流下方向正交的正交方向的合计值的变化方式,来判定有无液体流下。
专利文献1:日本特开2017-29883号公报
发明内容
本公开所涉及的技术使摄像图像的质量提高,所述摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时使用。
本公开的一个方式是基板处理装置,所述基板处理装置对被处理基板进行处理,所述基板处理装置具有:旋转保持部,其保持被处理基板并使该被处理基板旋转;摄像部,该摄像部的摄像区域包括被所述旋转保持部保持的被处理基板的表面;光源,其向所述摄像部的所述摄像区域照射光;检查部,其基于所述摄像部的摄像结果来进行检查;以及选择部,其基于得到该摄像结果时的被处理基板的朝向来选择要在所述检查中使用的摄像结果。
根据本公开,能够使摄像图像的质量提高,所述摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时使用。
附图说明
图1是示意性地表示具备作为第一实施方式所涉及的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的基板处理系统的结构的概要的俯视图。
图2是示意性地表示具备作为第一实施方式所涉及的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的基板处理系统的结构的概要的主视图。
图3是示意性地表示具备作为第一实施方式所涉及的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的基板处理系统的结构的概要的后视图。
图4是表示抗蚀膜形成装置的结构的概要的纵剖截面图。
图5是表示抗蚀膜形成装置的结构的概要的横剖截面图。
图6是表示控制部的与抗蚀膜形成装置的检查有关的结构的概要的框图。
图7是在利用抗蚀膜形成装置进行处理时的检查中使用的摄像机的摄像结果的检查对象区域的说明图。
图8是说明与被处理基板的朝向相应的、干扰光对摄像结果带来的影响的图。
图9是表示摄像机的摄像元件的曝光定时和从该摄像元件输出摄像结果的输出定时的一例的时序图。
图10是表示使被处理基板的朝向每次偏移规定角度所得到的各摄像结果与亮度值之间的关系的图。
图11是说明被处理基板的转速及摄像机的帧频与检查时的光源的发光定时之间的关系的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造