[发明专利]光刻曝光补值模式

权利要求书

1.一种光刻曝光补值模式，其特征在于，该光刻曝光补值模式产生6个补值项目，分别为Tx、Ty、Mx、My、Rot和Non-ortho，其中，Tx和Ty为曝光面内晶圆在X轴和Y轴上的侧移偏移量，Mx和My为曝光面内晶圆在X轴和Y轴上的扩张偏移量，Rot为曝光面内晶圆在X轴和Y轴上的旋转偏移量，Non-ortho为曝光面内晶圆在X轴和Y轴上的非正交旋转偏移量，该光刻曝光补值模式为：

dx＝X₀+dM_XX-dR_XY+Tx₂₀X²+Tx₁₁XY+Tx₀₂Y²+Tx₃₀X³+Tx₂₁X²Y+Tx₁₂XY²+Tx_0sY³

dy＝Y₀+dM_YY+dR_YX+Ty₂₀X²+Ty₁₁XY+Ty₀₂Y²+Ty₃₀X³+Ty₂₁X²y+Ty₁₂XY²+TyY³

其中，X₀和Y₀为初始值，dMx、dMy、dRx、dRy、Tx₂₀、Ty₂₀、Tx₁₁、Ty₁₁、Tx₀₂、Ty₀₂、Tx₃₀、Ty₃₀、Tx₂₁、Ty₂₁、Tx₁₂、Ty₁₂、Tx₀₃、T_y为系数值。

2.根据权利要求1所述的光刻曝光补值模式，其特征在于，所述光刻曝光补值模式应用于半导体集成电路的制造工艺流程中，其中在该半导体集成电路的制造工艺流程中光刻区使用的CMP机台与后段制程工艺中使用的CMP机台不同。

3.根据权利要求2所述的光刻曝光补值模式，其特征在于，光刻区使用的CMP机台为LK，在后段制程工艺中使用的CMP机台为LKP。

4.根据权利要求1所述的光刻曝光补值模式，其特征在于，所述光刻曝光补值模式为3阶补值模式HOWA3。

5.根据权利要求1所述的光刻曝光补值模式，其特征在于，根据所述的光刻曝光补值模式计算得到一个补值项目的多个补值，并计算该多个补值的平均值，以该平均值补偿晶圆在曝光面内的偏移。