[发明专利]图像传感器装置

权利要求书

1.一种图像传感器装置，包括：

第一元件，所述第一元件具有允许电流从上电极流到下电极的整流特性；

n沟道薄膜晶体管，所述n沟道薄膜晶体管包括半导体膜、栅电极、第一信号电极和第二信号电极；以及

控制电极，所述控制电极面对所述栅电极，所述半导体膜设置在所述控制电极和所述栅电极之间，

其中，所述第二信号电极与所述下电极连接，

其中，所述控制电极与所述下电极连接，

其中，当在平面上观察时，所述半导体膜的在第一信号电极侧的第一沟道端的至少一部分位于所述控制电极的区域内，并且

其中，当在平面上观察时，所述半导体膜的在第二信号电极侧的第二沟道端远离所述控制电极。

2.一种图像传感器装置，包括：

第一元件，所述第一元件具有允许电流从下电极流到上电极的整流特性；

n沟道薄膜晶体管，所述n沟道薄膜晶体管包括半导体膜、栅电极、第一信号电极和第二信号电极；以及

控制电极，所述控制电极面对所述栅电极，所述半导体膜设置在所述控制电极和所述栅电极之间，

其中，所述第二信号电极与所述下电极连接，

其中，所述控制电极与所述下电极连接，

其中，当在平面上观察时，所述半导体膜的在第一信号电极侧的第一沟道端远离所述控制电极，并且

其中，当在平面上观察时，所述半导体膜的在第二信号电极侧的第二沟道端的至少一部分位于所述控制电极的区域内。

3.根据权利要求1或2所述的图像传感器装置，其中，所述第一元件是光电二极管。

4.根据权利要求1或2所述的图像传感器装置，其中，所述半导体膜是氧化物半导体膜。

5.根据权利要求1或2所述的图像传感器装置，其中，所述栅电极设置成低于所述半导体膜。

6.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中，当在平面上观察时，整个所述第一沟道端位于所述控制电极的区域内。

7.根据权利要求2所述的图像传感器装置，其中，当在平面上观察时，整个所述第二沟道端位于所述控制电极的区域内。

8.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中，所述控制电极的在第二沟道端侧的端部比靠近所述第二沟道端更靠近所述第一沟道端。

9.根据权利要求2所述的图像传感器装置，其中，所述控制电极的在第一沟道端侧的端部比靠近所述第一沟道端更靠近所述第二沟道端。

10.根据权利要求1或2所述的图像传感器装置，其中，所述控制电极和所述下电极由相同的材料制成并且设置于同一层。

11.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中，所述控制电极设置在所述下电极的层与所述第一信号电极的层之间的层上。

12.根据权利要求2所述的图像传感器装置，其中，所述控制电极设置在所述下电极的层与所述第二信号电极的层之间的层上。