[发明专利]图像传感器装置

说明书

本发明公开了一种图像传感器装置，包括具有整流特性的元件和薄膜晶体管的装置，该装置包括具有允许电流从上电极流到下电极的整流特性的第一元件、n沟道薄膜晶体管和控制电极。n沟道薄膜晶体管包括半导体膜、栅电极、第一信号电极和第二信号电极。控制电极面对栅电极，半导体膜设置在控制电极与栅电极之间。第二信号电极与下电极连接。控制电极与下电极连接。当在平面上观察时，半导体膜的在第一信号电极侧的第一沟道端的至少一部分位于控制电极的区域内。当在平面上观察时，半导体膜的在第二信号电极侧的第二沟道端远离控制电极。

技术领域

本发明涉及一种包括具有整流特性的元件和薄膜晶体管的装置。

背景技术

已知这样的装置：该装置包括具有允许电流基本上仅在一个方向上流动的整流特性的元件。例如，图像传感器包括由多个像素组成的像素阵列，每个像素包括具有整流特性的光电二极管(PD)以及与光电二极管的下电极连接以控制流过光电二极管的电流的薄膜晶体管(TFT)。

在制造这种装置时，静电电荷会被注入到具有整流特性的元件的下电极，而破坏该元件和与该元件的下电极连接的薄膜晶体管。为了提高产品产量，需要防止静电破坏的措施。

发明内容

本发明的一个方面是一种装置，所述装置包括：第一元件，所述第一元件具有允许电流从上电极流到下电极的整流特性；n沟道薄膜晶体管，所述n沟道薄膜晶体管包括半导体膜、栅电极、第一信号电极和第二信号电极；以及控制电极，所述控制电极面对所述栅电极，所述半导体膜设置于所述控制电极与所述栅电极之间。所述第二信号电极与所述下电极连接。所述控制电极与所述下电极连接。当在平面上观察时，所述半导体膜的在第一信号电极侧的第一沟道端的至少一部分位于所述控制电极的区域内。当在平面上观察时，所述半导体膜的在第二信号电极侧的第二沟道端远离控制电极。

本发明的一个方面是一种装置，所述装置包括：第一元件，所述第一元件具有允许电流从下电极流到上电极的整流特性；n沟道薄膜晶体管，所述n沟道薄膜晶体管包括半导体膜、栅电极、第一信号电极和第二信号电极；以及控制电极，所述控制电极面对所述栅电极，所述半导体膜设置于所述控制电极与所述栅电极之间。所述第二信号电极与所述下电极连接。所述控制电极与所述下电极连接。当在平面上观察时，所述半导体膜的在第一信号电极侧的第一沟道端远离所述控制电极。当在平面上观察时，所述半导体膜的在第二信号电极侧的第二沟道端的至少一部分位于所述控制电极的区域内。

本发明的一个方面防止或减少对具有整流特性的元件和薄膜晶体管的静电破坏。

应该理解的是，前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，而不旨在限制本发明。

附图说明

图1A是示出图像传感器的结构示例的框图；

图1B是示出像素的等效电路的结构示例的电路图；

图2A是示出对像素的光电二极管和薄膜晶体管的静电破坏的示意图；

图2B是示出对像素的光电二极管和薄膜晶体管的静电破坏的示意图；

图3A示出了比较例中的像素中的静电电荷的行为；

图3B示出了比较例中的像素中的静电电荷的行为；

图4示意性地示出了一实施方式中的像素的剖面结构；

图5是该实施方式中的像素的俯视图；

图6是比较例的像素的俯视图；

图7A是示出布置在薄膜晶体管的源极侧上的控制电极的功能的示意图；

图7B是用于示出布置在薄膜晶体管的漏极侧上的控制电极的功能的示意图；