[发明专利]晶圆洗边侦测装置和方法在审
| 申请号： | 201910938169.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110610880A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王赫 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 洗边 侦测位置 探测器 旋转装置 在线侦测 侦测装置 侦测 种晶 机台 产品良率 传送位置 固定设置 侦测结果 电镀 工艺腔 误判断 | ||
1.一种晶圆洗边侦测装置，其特征在于：晶圆洗边侦测装置设置在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上；
所述晶圆洗边侦测装置包括探测器和旋转装置，所述旋转装置用于对所述晶圆进行旋转并选定侦测位置，所述侦测位置位于所述晶圆的边缘上；
所述探测器固定设置在所述晶圆上方并对所述晶圆的所述侦测位置处所述晶圆的边缘进行在线侦测，所述探测器对多个所述侦测位置进行在线侦测并形成侦测结果。
2.如权利要求1所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述晶圆传送位置包括晶圆放置架，所述晶圆放置在所述晶圆放置架上；
所述旋转装置设置在所述晶圆放置架的底部；
所述探测器固定设置在所述晶圆放置架上。
3.如权利要求1所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：多个所述侦测位置等间距分布在所述晶圆的边缘的圆周上。
4.如权利要求1所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述侦测结果为异常时所述晶圆洗边侦测装置发出报警信息。
5.如权利要求1所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述电镀机台为电镀铜机台。
6.如权利要求5所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述晶圆在所述晶圆洗边工艺腔完成洗边工艺，所述洗边工艺将所述晶圆的边缘区域内的铜层刻蚀掉。
7.如权利要求6所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述探测器包括光学照相机，通过所述光学照相机进行拍照得到图片并图片进行色差识别来判断所述洗边工艺是否完成。
8.如权利要求6所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述洗边工艺所刻蚀的所述晶圆的边缘区域的宽度包括2.1mm，2.5mm，3mm。
9.一种晶圆洗边侦测方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上设置晶圆洗边侦测装置设置；在所述晶圆洗边侦测装置中同时设置探测器和旋转装置；
步骤二、所述晶圆在所述晶圆洗边工艺腔中完成洗边工艺后传送到所述晶圆传送位置上；所述旋转装置对所述晶圆进行旋转并选定侦测位置，所述侦测位置位于所述晶圆的边缘上；
步骤三、所述探测器固定设置在所述晶圆上方并对所述晶圆的所述侦测位置处所述晶圆的边缘进行在线侦测，所述探测器对多个所述侦测位置进行在线侦测并形成侦测结果。
10.如权利要求9所述的晶圆洗边侦测方法，其特征在于：所述晶圆传送位置包括晶圆放置架，所述晶圆放置在所述晶圆放置架上；
所述旋转装置设置在所述晶圆放置架的底部；
所述探测器固定设置在所述晶圆放置架上。
11.如权利要求9所述的晶圆洗边侦测方法，其特征在于：多个所述侦测位置等间距分布在所述晶圆的边缘的圆周上。
12.如权利要求9所述的晶圆洗边侦测方法，其特征在于：所述侦测结果为异常时所述晶圆洗边侦测装置发出报警信息。
13.如权利要求9所述的晶圆洗边侦测方法，其特征在于：所述电镀机台为电镀铜机台。
14.如权利要求5所述的晶圆洗边侦测方法，其特征在于：步骤二中，所述洗边工艺将所述晶圆的边缘区域内的铜层刻蚀掉。
15.如权利要求14所述的晶圆洗边侦测方法，其特征在于：所述探测器包括光学照相机，通过所述光学照相机进行拍照得到图片并图片进行色差识别来判断所述洗边工艺是否完成。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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