[发明专利]晶圆洗边侦测装置和方法

说明书

本发明公开了一种晶圆洗边侦测装置，设置在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上；晶圆洗边侦测装置包括探测器和旋转装置，旋转装置用于对晶圆进行旋转并选定侦测位置，侦测位置位于晶圆的边缘上；探测器固定设置在晶圆上方并对晶圆的侦测位置处晶圆的边缘进行在线侦测，探测器对多个侦测位置进行在线侦测并形成侦测结果。本发明还公开了一种晶圆洗边侦测方法。本发明能提高晶圆洗边侦测的准确性，减少误判断，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆洗边侦测装置，本发明还涉及一种晶圆洗边侦测方法。

背景技术

在半导体集成电路制造领域中通常会采用电镀工艺如电镀铜工艺在晶圆如硅衬底晶圆上形成铜层，在电镀工艺中，晶圆边缘的金属层通常要去除，去除晶圆边缘的工艺称为洗边(Edge Beval Remove，EBR)工艺。

洗边工艺通常是采用酸管将用于刻蚀金属的刻蚀液通过碰嘴喷射到晶圆的边缘上进行清洗，电镀铜的洗边工艺的刻蚀液通常采用H2O2和硫酸。铜电镀制程的洗边工艺，可以去除晶圆边缘无效区域的铜，避免在后续制程中掉落，形成缺陷源头。

在洗边工艺过程中，由于酸管产生磨损或酸流量不足等容易导致洗边不充分，在线及时的洗边侦测装置可以及时准确地侦测洗边异常，保证产品良率。但是现有洗边侦测装置，只能侦测晶圆固定位置处的洗边情况，不能及时侦测到洗边异常，而且容易造成误判断。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆洗边侦测装置，能提高晶圆洗边侦测的准确性，减少误判断，提高产品良率。为此，本发明还提供一种晶圆洗边侦测方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆洗边侦测装置设置在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上。

所述晶圆洗边侦测装置包括探测器和旋转装置，所述旋转装置用于对所述晶圆进行旋转并选定侦测位置，所述侦测位置位于所述晶圆的边缘上。

所述探测器固定设置在所述晶圆上方并对所述晶圆的所述侦测位置处所述晶圆的边缘进行在线侦测，所述探测器对多个所述侦测位置进行在线侦测并形成侦测结果。

进一步的改进是，所述晶圆传送位置包括晶圆放置架，所述晶圆放置在所述晶圆放置架上；所述旋转装置设置在所述晶圆放置架的底部；所述探测器固定设置在所述晶圆放置架上。

进一步的改进是，多个所述侦测位置等间距分布在所述晶圆的边缘的圆周上。

进一步的改进是，所述侦测结果为异常时所述晶圆洗边侦测装置发出报警信息。

进一步的改进是，所述电镀机台为电镀铜机台。

进一步的改进是，所述晶圆在所述晶圆洗边工艺腔完成洗边工艺，所述洗边工艺将所述晶圆的边缘区域内的铜层刻蚀掉。

进一步的改进是，所述探测器包括光学照相机，通过所述光学照相机进行拍照得到图片并图片进行色差识别来判断所述洗边工艺是否完成。

进一步的改进是，所述洗边工艺所刻蚀的所述晶圆的边缘区域的宽度包括2.1mm，2.5mm，3mm。

为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆洗边侦测方法包括如下步骤：

步骤一、在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上设置晶圆洗边侦测装置设置；在所述晶圆洗边侦测装置中同时设置探测器和旋转装置。

步骤二、所述晶圆在所述晶圆洗边工艺腔中完成洗边工艺后传送到所述晶圆传送位置上；所述旋转装置对所述晶圆进行旋转并选定侦测位置，所述侦测位置位于所述晶圆的边缘上。