[发明专利]一种In-cell触控面板的制造方法

权利要求书

1.一种In-cell触控面板的制造方法，In-cell触控面板包括像素区和端子区，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在基板上沉积第一金属层，通过曝光、显影和刻蚀形成位于端子区的扫描线以及位于像素区的栅极；

S2：在步骤S1的基础上形成覆盖第一金属层的栅极绝缘层；

S3：在步骤S2的基础依次形成半导体材料层和第二金属层，通过半色调掩膜版对半导体材料层和第二金属层进行多阶曝光、显影和刻蚀形成位于端子区的数据线以及位于像素区的源极、漏极和半导体层；

S4：在步骤S3的基础上依次形成第一绝缘层和有机绝缘层的层叠结构，通过曝光、显影和刻蚀有机绝缘层分别形成位于像素区的第一接触孔和端子区的第二接触孔；

S5：在步骤S4的基础上沉积一层复合无机绝缘层，所述复合无机绝缘层包括底层绝缘层和顶层绝缘层，底层绝缘层形成材料为SiNx，顶层绝缘层形成材料为SiO2；

S6：在步骤S5的基础上采用第一绝缘层的掩膜版刻蚀掉第一接触孔内的全部复合无机绝缘层和第一绝缘层以及刻蚀掉第二接触孔中的部分复合无机绝缘层、第一绝缘层和部分栅极绝缘层；

S7：在步骤S6的基础上依次形成第一透明电极层、第三金属层和氧化物半导体材料层的叠层结构，然后通过半透掩膜版对氧化物半导体材料层、第三金属层和第一透明电极层进行多阶曝光和显影形成像素电极和触控线。

2.根据权利要求1所述的In-cell触控面板的制造方法，其特征在于，其中，步骤S7具体包括如下步骤：

S71：在步骤S6的基础上依次形成第一透明电极层、第三金属层和氧化物半导体材料层的叠层结构；

S72：在步骤S71的基础上在氧化物半导体材料层上涂布光刻胶，采用半透掩膜版对光刻胶进行曝光和显影后形成无光刻胶保留区、光刻胶部分保留区和光刻胶完整保留区；

S73：在步骤S72的基础上采用含氟铜酸的刻蚀液对氧化物半导体材料层、第三金属层和第一透明电极层进行第一次刻蚀，使得位于无光刻胶保留区两侧的第三金属层往里刻蚀掉部分；

S74：在步骤S73的基础上对光刻胶进行灰化，将光刻胶部分保留区的光刻胶刻蚀至暴露出氧化物半导体材料层；

S75：在步骤S74的基础上采用草酸刻蚀，刻蚀掉光刻胶部分保留区的氧化物半导体材料层，暴露出光刻胶部分保留区的第三金属层；

S76：在步骤S75的基础采用含氟铜酸进行第一次刻蚀，光刻胶部分保留区的第三金属层被刻蚀掉，光刻胶完整保留区的第三金属层的两侧发生底切；

S77：在步骤S76的基础上剥离光刻胶；

S78：在步骤S77的基础上对第一透明电极层进行退火并在像素区中形成像素电极；

S79：在步骤S78的基础上剥离位于第三金属层上的氧化物半导体材料层，剩余第三金属层成为触控线。

3.根据权利要求2所述的In-cell触控面板的制造方法，其特征在于，光刻胶部分保留区位于像素电极所在的区域，光刻胶完整保留区对应触控线和第一接触孔所在的区域，无光刻胶保留区为剩余的其他区域。

4.根据权利要求3所述的In-cell触控面板的制造方法，其特征在于，所述第一接触孔对应的光刻胶完整保留区大小大于第一接触孔的上表面面积且小于漏极的垂直投影面积。

5.根据权利要求1所述的In-cell触控面板的制造方法，其特征在于，第一金属层和第三金属层由铜、铝单层金属构成或者由上层为铜下层为钼的双层金属构成。

6.根据权利要求1所述的In-cell触控面板的制造方法，其特征在于，第二金属层由上层为铜下层为钛或者上层为铜下层为钼的双层金属构成。

7.根据权利要求1所述的In-cell触控面板的制造方法，其特征在于，栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层由氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅混合物构成。