[发明专利]一种In-cell触控面板的制造方法

说明书

本发明提供一种In‑cell触控面板的制造方法，In‑cell触控面板包括像素区和端子区，通过在有机绝缘层上新增一层复合无机层，解决第二次半色调掩膜版过程中对有机绝缘层的刻蚀，形成有机绝缘层底切(Undercut)的问题，提升了产品品质，同时因为在第三金属层上新增了氧化物半导体材料层，使第一透明电极层在退火制程可以在光阻剥离后立即进行，而不必沉积绝缘层后再进行退火，降低了像素电极的退火制程所需时间和提升了像素电极的透过率，同时退火完成后氧化物半导体材料层又方便去除，对产品结构不带来其他影响，本发明有利于提升生产效率和产品品质，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及显示面板的技术领域，尤其涉及一种In-cell触控面板的制造方法。

背景技术

目前，现有的内嵌(In Cell)式触摸屏是利用互电容或自电容的原理实现检测手指触摸位置。其中，利用自电容的原理可以在触摸屏中设置多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，当人体未触碰屏幕时，各自电容电极所承受的电容为一固定值，当人体触碰屏幕时，对应的自电容电极(触控电极)所承受的电容为固定值叠加人体电容，触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置。

为了感知自电容电极的电容变化，需要导线连接触控芯片和自电容电极，我们一般把这个导线成为触控线，对于FFS液晶显示，目前触控线的实现方式主要分为两种，第一种是触控线通过源漏极金属层来完成，相当于第二金属层即要成为源漏极及其配线，又要成触控线，触控线和数据线平行，此方式的好处是避免了新增一层金属层(第三金属层)带来的光罩数增加，但开口率有所下降，且随着高分辨的要求逐渐上升，开口率损失越大，且由于配线空间有限，既要完成数据线配线，同时又要完成触控线的配线，因而对工艺要求较高；第二种是新增一层第三金属层及其相应绝缘保护层，通过图案化第三金属层，使其连接触控侦测芯片和自电容电极，由于数据线上方一般会配置有机绝缘层(JAS)，有机绝缘层厚度一般超过2μm，从而第三金属层的触控线可以随意跨线，而不必担心和数据线之间的寄生电容，从而开口率相对于触控线跟数据线同层设置的做法要高。

此外，内嵌式触控(In-cell)除了要实现触控功能外，还需要在显示时间实现显示功能，一般来说自电容电极会采用公共电极分区块进行，同层设置，采用分时复用方式进行，即显示阶段，自电容电极加载公共电极信号，触控时则由触控线连接自电容电极，一般触控线都会和自电容电极采用不同层设置，两者之间设置保护层，通过接触孔进行连接，同时触控线连接触控侦测芯片，触控时感知自电容电极电容量变化，判断触控位置。

由于FFS液晶面板采用两层氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)来制作，它本身的制作流程要比一般的液晶面板要多一到两道光罩(掩膜版)工艺。外加需要连接自电容电极和触控芯片的的M3(Sensor线)，这样就导致光罩数量较多，成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有利于提升生产效率和产品品质和降低了生产成本的In-cell触控面板的制造方法。

本发明提供一种In-cell触控面板的制造方法，In-cell触控面板包括像素区和端子区，包括如下步骤：

S1：在基板上沉积第一金属层，通过曝光、显影和刻蚀形成位于端子区的扫描线以及位于像素区的栅极；

S2：在步骤S1的基础上形成覆盖第一金属层的栅极绝缘层；

S3：在步骤S2的基础依次形成半导体材料层和第二金属层，通过半色调掩膜版对半导体材料层和第二金属层进行多阶曝光、显影和刻蚀形成位于端子区的数据线以及位于像素区的源极、漏极和半导体层；

S4：在步骤S3的基础上依次形成第一绝缘层和有机绝缘层的层叠结构，通过曝光、显影和刻蚀有机绝缘层分别形成位于像素区的第一接触孔和端子区的第二接触孔；