[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板；

第一栅极层，形成于所述衬底基板上；

像素阵列层，形成于所述第一栅极层上；

第二栅极层，形成于所述像素阵列层上；

其中，所述第二栅极层包括第一电极层、传感层和第二电极层，所述传感层形成于所述第一电极层上，所述第二电极层形成于所述传感层上；

所述像素阵列层包括：第一栅绝缘层，形成于所述第一栅极层上；有源层，形成于所述第一栅绝缘层上；第二栅绝缘层，形成于所述有源层上，所述第二栅绝缘层上形成有第一过孔；金属层，形成于所述第二栅绝缘层上，所述金属层通过所述第一过孔，与所述有源层相接触，所述金属层上形成有第二过孔；层间绝缘层，形成于所述金属层上，所述层间绝缘层通过所述第二过孔与所述第二栅绝缘层相接触，所述层间绝缘层形成有第三过孔，所述第二栅极层位于所述第三过孔中；

所述金属层包括源漏极层，所述第一电极层与所述源漏极层位于同一层，且所述第一电极层与所述源漏极层不连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为单晶硅、多晶硅或铟镓锌氧化物。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述传感层为光伏传感层、压敏传感层或半导体传感层。

4.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至3任一项所述的阵列基板。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上制备第一栅极层；

在所述第一栅极层上制备像素阵列层；

在所述像素阵列层上制备第二栅极层；

其中，所述第二栅极层包括第一电极层、传感层和第二电极层，所述传感层形成于所述第一电极层上，所述第二电极层形成于所述传感层上；

所述像素阵列层包括：第一栅绝缘层，形成于所述第一栅极层上；有源层，形成于所述第一栅绝缘层上；第二栅绝缘层，形成于所述有源层上，所述第二栅绝缘层上形成有第一过孔；金属层，形成于所述第二栅绝缘层上，所述金属层通过所述第一过孔，与所述有源层相接触，所述金属层上形成有第二过孔；层间绝缘层，形成于所述金属层上，所述层间绝缘层通过所述第二过孔与所述第二栅绝缘层相接触，所述层间绝缘层形成有第三过孔，所述第二栅极层位于所述第三过孔中；

所述金属层包括源漏极层，所述第一电极层与所述源漏极层位于同一层，且所述第一电极层与所述源漏极层不连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一栅极层上制备像素阵列层包括：

在所述第一栅极层上制备第一栅绝缘层；

在所述第一栅绝缘层上制备有源层；

在所述有源层上制备第二栅绝缘层；

在所述第二栅绝缘层上制备金属层；

在所述金属层上制备层间绝缘层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二栅绝缘层上制备金属层包括：

在所述第二栅绝缘层上，沉积金属材料；

将所述金属材料进行图案化处理，以制备得到源漏极层和第一电极层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述像素阵列层上制备第二栅极层包括：

在所述第一电极上制备传感层；

在所述传感层上制备第二电极层，以制备得到第二栅极层。

9.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上制备第一栅极层包括：

在所述衬底基板上，沉积第一栅极材料；

将所述第一栅极材料进行图案化处理，以制备得到第一栅极层。