[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示面板

说明书

本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法和显示面板，所述阵列基板包括：衬底基板；第一栅极层，形成于所述衬底基板上；像素阵列层，形成于所述第一栅极层上；第二栅极层，形成于所述像素阵列层上；其中，所述第二栅极层包括第一电极层、传感层和第二电极层，所述传感层形成于所述第一电极层上，所述第二电极层形成于所述传感层上。本发明实施例中相较于传统技术，本发明将传感材料与薄膜晶体管相结合，在所述薄膜晶体管上制备传感层，由于薄膜晶体管的可大面积制备，使得传感器可以大面积制备，从而提高传感器的使用性能，降低传感器生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。

背景技术

薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)当前广泛应用于显示领域，是以玻璃为基板，通过成膜工艺在玻璃上沉积半导体层和金属层等，再通过光刻等工艺制造出的晶体管。TFT可以基于玻璃进行大面积晶体管制作，而且成本较低，所以成为当前显示技术的核心。

随着当前智能手机的快速发展，手机安全领域如指纹识别等功能应用广泛，当前主要的感应传感器都是基于硅基芯片制造，其成本高而且传感器件面积较小，导致设备功能和性能不足。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板，相较于传统技术，本发明将传感材料与薄膜晶体管相结合，在所述薄膜晶体管上制备传感层，由于薄膜晶体管的可大面积制备，使得传感器可以大面积制备，从而提高传感器的使用性能，降低传感器生产成本。

为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板；第一栅极层，形成于所述衬底基板上；像素阵列层，形成于所述第一栅极层上；第二栅极层，形成于所述像素阵列层上；其中，所述第二栅极层包括第一电极层、传感层和第二电极层，所述传感层形成于所述第一电极层上，所述第二电极层形成于所述传感层上；

所述像素阵列层包括：第一栅绝缘层，形成于所述第一栅极层上；有源层，形成于所述第一栅绝缘层上；第二栅绝缘层，形成于所述有源层上，所述第二栅绝缘层上形成有第一过孔；金属层，形成于所述第二栅绝缘层上，所述金属层通过所述第一过孔，与所述有源层相接触，所述金属层上形成有第二过孔；层间绝缘层，形成于所述金属层上，所述层间绝缘层通过所述第二过孔与所述第二栅绝缘层相接触，所述层间绝缘层形成有第三过孔，所述第二栅极层位于所述第三过孔中；

所述金属层包括源漏极层，所述第一电极层与所述源漏极层位于同一层，且所述第一电极层与所述源漏极层不连接。

进一步的，所述有源层为单晶硅、多晶硅或铟镓锌氧化物。

进一步的，所述传感层为光伏传感层、压敏传感层或半导体传感层。

第二方面，本申请提供一种显示面板；所述显示面板包括如上述内容所述的阵列基板。

第三方面，本申请提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上制备第一栅极层；在所述第一栅极层上制备像素阵列层；在所述像素阵列层上制备第二栅极层；其中，所述第二栅极层包括第一电极层、传感层和第二电极层，所述传感层形成于所述第一电极层上，所述第二电极层形成于所述传感层上。

进一步的所述在所述第一栅极层上制备像素阵列层包括：在所述第一栅极层上制备第一栅绝缘层；在所述第一栅绝缘层上制备有源层；在所述有源层上制备第二栅绝缘层；在所述第二栅绝缘层上制备金属层；在所述金属层上制备层间绝缘层。

进一步的，所述在所述第二栅绝缘层上制备金属层包括：

在所述第二栅绝缘层上，沉积金属材料；

将所述金属材料进行图案化处理，以制备得到源漏极层和第一电极层。

进一步的，所述在所述像素阵列层上制备第二栅极层包括：