[发明专利]一种高亮度LED芯片及其切割方法在审
| 申请号： | 201910941667.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110556456A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 周智斌 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L21/78;B23K26/362 |
| 代理公司： | 43214 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 闵亚红;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 打点 侧壁 粗化 高亮度LED 功率控制 衬底 切割 激光 芯片 纹路 面积最大化 打点步骤 裂片步骤 隐形切割 不规则 底面 后衬 两排 裂片 匹配 侧面 | ||
1.一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，具体包括激光隐切打点步骤以及裂片步骤；其中，激光隐切打点中至少打深度不一样的两排点，深度指从衬底的底面至打点的位置；裂片后衬底的侧面上形成能使侧壁粗化的纹路。
2.根据权利要求1所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，激光隐切打点是在LED芯片侧壁的各个面上同时进行。
3.根据权利要求1所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，激光隐切打点步骤通过激光两次打点的方式实现，其中，第一点的打点功率大于第二点的打点功率；激光两次打点的打点距离均从衬底底部开始到设定的打点位置，第一点的打点距离大于第二点的打点距离。
4.根据权利要求3所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，第一点的打点距离为LED芯片厚度的1/4-1/2的距离；第二点的打点距离为LED芯片厚度的1/10-1/5的距离。
5.根据权利要求3所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，第一点的打点功率控制在0.4-0.7W之间；第二点的打点功率控制在0.1-0.5W之间。
6.根据权利要求3所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，所述第一点的打点速度以及第二点的打点速度均控制在500-750mm/s之间。
7.根据权利要求1所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，第一点和第二点采用两束激光同时打点或者单束激光进行两次打点。
8.根据权利要求1所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，所述LED芯片厚度为120-250um。
9.根据权利要求1-8任一项所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，所述衬底材料为蓝宝石衬底、Si衬底或者GaN衬底。
10.一种高亮度LED芯片，其特征在于，所述LED芯片由权利要求1-9任一所述的切割方法制备而成。
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