[发明专利]一种高亮度LED芯片及其切割方法

说明书

本发明提供了一种高亮度LED芯片的切割方法，具体包括激光隐形切割打点步骤以及裂片步骤；其中，激光隐切打点中至少打深度不一样的两排点，深度指从衬底的底面至打点的位置；裂片后衬底的侧面上形成能使侧壁粗化的纹路。第一点的打点距离为LED芯片厚度的1/4‑1/2的距离；第二点的打点距离为LED芯片厚度的1/10‑1/5的距离。第一点的打点功率控制在0.4‑0.7W之间；第二点的打点功率控制在0.1‑0.5W之间。本发明提供的一种高亮度LED芯片的切割方法通过不同功率和速度来匹配，裂片时形成不规则的裂纹来实现侧壁粗化，可以让侧壁粗化面积最大化，让光更容易从衬底中出来，大大提高了LED芯片的亮度。

技术领域

本发明涉及半导体照明技术领域，特别地，涉及一种高亮度LED芯片及其切割方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode)是由第三代半导体材料GAN制备而成，在性能方面具有使用寿命长、安全环保、耐高温等优点。目前LED广泛的应用于城市照明、背光显示、交通信号灯、汽车灯、植物照明、生物医疗等生活的各个方面。

目前LED在结构上可以大致分为：正装结构、倒装结构、垂直结构三大类，各个结构具有其独特的优点。目前，由于人们对LED性能的要求越来越高，这就要求LED技术人员不断进行技术突破，以满足人们对光源的需求。

LED亮度提升永远是技术创新中的重中之重。为更好的提高LED芯片的亮度，增加芯片的出光效率，本发明提供了一种新型的高亮度LED芯片的切割方法。

发明内容

本发明目的在于提供一种高亮度LED芯片的切割方法，以提高LED芯片的发光亮度，增加芯片的出光效率。

为实现上述目的，本发明提供了一种高亮度LED芯片的切割方法，具体包括激光隐切打点步骤以及裂片步骤；其中，激光隐切打点中至少打深度不一样的两排点，深度指从衬底的底面至打点的位置；裂片后衬底的侧面上形成能使侧壁粗化的纹路。

进一步的，激光隐切打点是在LED芯片侧壁的各个面上同时进行。

进一步的，激光隐切打点步骤通过激光两次打点的方式实现，其中，第一点的打点功率大于第二点的打点功率；激光两次打点的打点距离均从衬底底部开始到设定的打点位置，第一点的打点距离大于第二点的打点距离。

进一步的，第一点的打点距离为LED芯片厚度的1/4-1/2的距离；第二点的打点距离为LED芯片厚度的1/10-1/5的距离。

进一步的，第一点的打点功率控制在0.4-0.7W之间；第二点的打点功率控制在0.1-0.5W之间。

进一步的，所述第一点的打点速度以及第二点的打点速度均控制在500-750mm/s之间。

进一步的，第一点和第二点采用两束激光同时打点或者单束激光进行两次打点。

进一步的，所述LED芯片厚度为120-250um。

进一步的，所述衬底材料为蓝宝石衬底、Si衬底或者GaN衬底。

本发明还提供了一种高亮度LED芯片，所述LED芯片由上述的切割方法制备而成。

与现有LED制造技术相比，本发明提供的一种高亮度LED芯片的切割方法，具有以下优势：