[发明专利]一种直拉硅单晶炉平底导流筒

说明书

本发明提供一种直拉硅单晶炉平底导流筒，包括导流筒侧壁部、导流筒过渡部和导流筒平底部，导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部依次连接，其中，导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部均为环状结构，导流筒平底部的直径小于导流筒侧壁部的直径，且导流筒平底部与导流筒侧壁部同轴线设置，以便减小硅溶液液面与导流筒之间的间隙。本发明的有益效果是具有导流筒平底部，导流筒与液面缝隙降少，气体流速加快，可快速带走挥发出的氧，可有效降低大尺寸单晶氧含量，提升大尺寸单晶品质。

技术领域

本发明属于直拉单晶技术领域，尤其是涉及一种直拉硅单晶炉平底导流筒。

背景技术

直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术，随着市场竞争加剧，单晶品质要求更加严格，且大尺寸单晶品质要求较高，因此现单晶硅制造商需要更高的品质。而为了维持单晶正常生长需要增加导流筒，因此导流筒成为当前直拉单晶炉的重要系统之一。导流筒的的主要作用是：

第一、隔绝加热器对单晶的热辐射，保证单晶生长所需的温度梯度，保证单晶稳定的成晶率；

第二、保证炉内保护气体的流动方向，避免形成漩涡，加速液面表面的气体流速，加快带走挥发杂质；

其不足在于：现有导流筒的结构为碗状结构，具有侧壁和与侧壁底部连接的圆弧段，因而在液面上方空隙较大，气体流速较低，拉制大尺寸单晶时，液面挥发面积降低，导致氧含量偏高。

发明内容

鉴于上述问题，本发明要解决的问题是提供一种直拉硅单晶炉平底导流筒，尤其适合直拉单晶使用，具有导流筒平底部，导流筒与液面缝隙降少，气体流速加快，可快速带走挥发出的氧，可有效降低大尺寸单晶氧含量，提升大尺寸单晶品质。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种直拉硅单晶炉平底导流筒，包括导流筒侧壁部、导流筒过渡部和导流筒平底部，导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部依次连接，其中，

导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部均为环状结构，导流筒平底部的直径小于导流筒侧壁部的直径，且导流筒平底部与导流筒侧壁部同轴线设置，以便减小硅溶液液面与导流筒之间的间隙。

进一步的，导流筒侧壁部与导流筒平底部垂直设置。

进一步的，导流筒平底部为平面结构，且导流筒平底部设有通孔。

进一步的，通孔与导流筒侧壁部同轴线设置。

进一步的，导流筒过渡部包括圆弧过渡部和直壁过渡部，其中，

圆弧过渡部一端与导流筒侧壁部连接，另一端与直壁过渡部的一端连接，直壁过渡部的另一端与导流筒平底部连接，便于导流筒侧壁部与导流筒平底部连接。

进一步的，导流筒侧壁部与圆弧过渡部的连接处和导流筒平底部同平面设置。

进一步的，导流筒侧壁部与圆弧过渡部的连接处和导流筒平底部异面设置。

进一步的，平底导流筒还包括连接部，连接部与导流筒侧壁部连接，便于平底导流筒与单晶炉盖连接。

由于采用上述技术方案，使得导流筒结构简单，具有导流筒平底部，导流筒与硅溶液液面距离减小，液面上方的气体流动速度加快，能够快速带走挥发出的氧，增加气体带走的挥发氧的速率，可有效降低大尺寸单晶氧含量，提升大尺寸单晶品质；

具有导流筒平底部，增加导流筒内部空间，能够增加导流筒保温厚度，更好的隔绝加热器对单晶的热辐射，增加大尺寸单晶的温度梯度，提高大尺寸单晶生长拉速。

附图说明

图1是本发明的一实施例的结构示意图；

图2是本发明的一实施例的导流筒过渡部结构示意图；