[发明专利]一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法

权利要求书

1.一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤，依次对硅片进行清洗：

S1：第一药液清洗；所述步骤S1中，采用第一药液进行超声清洗，且进行至少两次第一药液清洗，其中，所述第一药液为清洗剂溶液，所述清洗剂溶液为3%-5%的清洗剂；

S2：溢流清洗；

S3：第二药液清洗；所述步骤S3中，采用第二药液进行鼓泡清洗，所述第二药液为高浓度清洗药液溶液；所述高浓度清洗药液溶液为双氧水和氢氧化钾溶液，其中，所述双氧水的质量分数为20%-40%，所述氢氧化钾的质量分数为30%-50%；

所述双氧水的浓度为4.5vol%-5.5vol%，所述氢氧化钾的浓度为1.0vol%-1.5vol%；

S4：第三药液清洗；所述步骤S4中，采用第三药液进行鼓泡清洗，所述第三药液为低浓度清洗药液溶液；

所述低浓度清洗药液溶液为双氧水和氢氧化钾溶液，其中，

所述双氧水的质量分数为20%-40%，所述氢氧化钾的质量分数为30%-50%；

所述双氧水的浓度为1.5vol%-1.8vol%，所述氢氧化钾的浓度为0.3vol%-0.5vol%；

S5：溢流清洗；

S6：慢提拉，在慢提拉过程中进行喷淋；所述步骤S6中，采用热纯水进行喷淋，所述热纯水的温度为50℃-70℃，用于慢提拉槽进行喷淋，对慢提拉槽内的水的表面的泡沫进行喷淋；所述步骤S6中，采用慢提拉部进行慢提拉，所述慢提拉部倾斜设置，且所述慢提拉部设有纯水；所述慢提拉部倾斜角度为5°-15°。

2.根据权利要求1所述的超大尺寸单晶硅片的清洗方法，其特征在于：在步骤S1之前还进行预清洗，所述预清洗采用纯水进行超声溢流清洗。