[发明专利]一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法

说明书

本发明提供一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法，包括以下步骤，依次对硅片进行清洗：S1：第一药液清洗；S2：溢流清洗；S3：第二药液清洗；S4：第三药液清洗；S5：溢流清洗；S6：慢提拉，在慢提拉过程中进行喷淋。本发明的有益效果是对硅片依次进行第一药液清洗、第二药液清洗和第三药液清洗，硅片清洗后，硅片表面洁净度高，同时硅片表面金属离子残留较少，提高硅片表面洁净度，提升后续电池片的转化效率。

技术领域

本发明属于光伏技术领域，尤其是涉及一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法。

背景技术

目前超大尺寸硅片加工已成为光伏后续发展趋势。但硅片尺寸变大以后，特别是直径大于270mm硅片的清洗，按照目前清洗方式，脏片比例上升。虽然，采用延长清洗的时间、加大药液(清洗剂、化学品)的用量、增加溢流量可以达到清洗目的，但成本会上升。

发明内容

鉴于上述问题，本发明要解决的问题是提供一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法，超大尺寸单晶硅片的清洗，对硅片依次进行第一药液清洗、第二药液清洗和第三药液清洗，硅片表面洁净度高，硅片表面金属离子残留较少，提高后续电池片的转化效率。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法，包括以下步骤，依次对硅片进行清洗：

S1：第一药液清洗；

S2：溢流清洗；

S3：第二药液清洗；

S4：第三药液清洗；

S5：溢流清洗；

S6：慢提拉，在慢提拉过程中进行喷淋。

进一步的，步骤S3中，采用第二药液进行鼓泡清洗，第二药液为高浓度清洗药液溶液。

进一步的，高浓度清洗药液溶液为双氧水和氢氧化钾溶液，其中，

双氧水的质量分数为20％-40％，氢氧化钾的质量分数为30％-50％；

双氧水的浓度为4.5vol％-5.5vol％，氢氧化钾的浓度为1.0vol％-1.5vol％。

进一步的，步骤S4中，采用第三药液进行鼓泡清洗，第三药液为低浓度清洗药液溶液。

进一步的，低浓度清洗药液溶液为双氧水和氢氧化钾溶液，其中，

双氧水的质量分数为20％-40％，氢氧化钾的质量分数为30％-50％；

双氧水的浓度为1.5vol％-1.8vol％，氢氧化钾的浓度为0.3vol％-0.5vol％。

进一步的，步骤S6中，采用热纯水进行喷淋，热纯水的温度为50℃-70℃。

进一步的，步骤S6中，采用慢提拉部进行慢提拉，慢提拉部倾斜设置，且慢提拉部设有纯水。

进一步的，慢提拉部倾斜角度为5°-15°。

进一步的，步骤S1中，采用第一药液进行超声清洗，且进行至少两次第一药液清洗，其中，

第一药液为清洗剂溶液，清洗剂溶液为3％-5％的清洗剂。

进一步的，在步骤S1之前还进行预清洗，预清洗采用纯水进行超声溢流清洗。

由于采用上述技术方案，对硅片依次进行第一药液清洗、第二药液清洗和第三药液清洗，硅片清洗后，硅片表面洁净度高，同时硅片表面金属离子残留较少，提高硅片表面洁净度，提升后续电池片的转化效率；硅片表面洁净，可以提高电池片的成品率及可靠率，硅片制绒后绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能。

附图说明