[发明专利]半导体装置以及半导体芯片在审
申请号: | 201910943436.7 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN111211118A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 沈贤洙;金润圣;金尹熙;裴秉文;尹俊浩 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/78 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 芯片 | ||
1.一种半导体装置,包括:
半导体衬底,具有定义于其中的划线;
多个半导体芯片,形成于所述半导体衬底的上表面上;
至少一个导电结构,在所述半导体衬底的所述划线内布置在所述半导体衬底的上表面上;以及
圆角,布置在所述导电结构的至少一个侧表面上,所述圆角被配置成引发经由所述导电结构的中心部分沿所述划线扩散的切割线。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述圆角布置在所述切割线上的所述导电结构的所述侧表面上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述圆角包括:
下表面,与所述划线接触;
侧表面,从所述下表面延伸以与所述导电结构的所述侧表面进行接触;以及
倾斜上表面,连接于所述下表面与所述侧表面之间。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述圆角的所述侧表面具有与所述导电结构的所述侧表面共面的上部端。
5.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述圆角的所述侧表面具有低于所述导电结构的所述侧表面的上部端。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述圆角布置在所述切割线上的所述导电结构的多个侧表面上。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述圆角布置在所述导电结构的整个侧表面上。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述圆角包括绝缘材料。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中用于容纳所述圆角的容纳凹槽形成于所述划线上。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述容纳凹槽具有至少与所述划线的宽度一样大的宽度。
11.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述导电结构包括被配置成用于测试所述多个半导体芯片的测试元件组。
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中所述测试元件组包括测试垫,所述测试垫具有电性连接到所述多个半导体芯片的侧表面。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其中所述圆角布置在所述切割线上的所述测试垫的所述侧表面上。
14.根据权利要求11所述的半导体装置,其中所述测试元件组包括:
测试垫;以及
测试线,从所述测试垫的下表面延伸且与所述多个半导体芯片连接。
15.根据权利要求14所述的半导体装置,其中所述圆角布置在所述测试垫的整个侧表面上。
16.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述导电结构包括被配置成用于对准所述半导体衬底的对准键。
17.根据权利要求16所述的半导体装置,其中所述圆角布置在所述对准键的整个侧表面上。
18.一种半导体芯片,包括:
内部电路;
至少一个导电结构,布置在所述内部电路的旁侧;以及
圆角,布置在所述导电结构的至少一个侧表面上。
19.根据权利要求18所述的半导体芯片,其中所述圆角包括:
下表面,布置在所述内部电路与所述导电结构之间;
侧表面,从所述下表面延伸且与所述导电结构的所述侧表面接触;以及
倾斜上表面,连接于所述下表面与所述侧表面之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的