[发明专利]半导体装置以及半导体芯片

说明书

本申请提供一种半导体装置及半导体芯片。半导体装置包含半导体衬底，半导体衬底具有定义于其中的划线。多个半导体芯片形成于半导体衬底的上表面上。至少一个导电结构在其划线内布置在半导体衬底的上表面上。圆角布置在导电结构的至少一个侧表面上。圆角被配置成引发经由导电结构的中心部分沿划线扩散的切割线。

相关申请案

本申请主张在韩国知识产权局(Korean Intellectual Property Office；KIPO)于2018年11月22日提交的韩国专利申请第10-2018-0145198号的优先权，所述申请的内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置，且更具体地说涉及一种半导体装置、由半导体装置形成的半导体芯片以及切割包含半导体装置的半导体衬底的方法。

背景技术

通常，形成于单个半导体衬底上的多个半导体芯片或裸片或晶片可沿划线分割(“切割”)。例如测试元件组(test element group；TEG)、对准键等各种导电结构可布置在划线上。

为了切割半导体衬底，可使用激光沿划线切割以在划线及导电结构处形成切割线。切割线可沿位于划线内的导电结构中的每一个的侧表面扩散。

在此情况下，位于划线两侧处的两个半导体裸片中的任一个可包含没有切割线的导电结构。导电结构可因此从半导体裸片的侧表面突出，且在后续处理步骤中，此突出可能导致短路、电流泄漏等。

虽然一些裸片可具有从其中突出的导电结构，但其它裸片可具有凹槽，导电结构可定位于所述凹槽中。凹槽可充当半导体裸片的裂纹晶种。此外，在以下模制工艺中，凹槽可充当空隙。

发明内容

一种半导体装置包含半导体衬底，所述半导体衬底具有定义于其中的划线。多个半导体芯片形成于半导体衬底的上表面上。至少一个导电结构在其划线内布置在半导体衬底的上表面上。圆角布置在导电结构的至少一个侧表面上。圆角被配置成引发经由导电结构的中心部分沿划线扩散的切割线。

半导体芯片包含内部电路。至少一个导电结构布置在内部电路的旁侧。圆角布置在导电结构的至少一个侧表面上。

一种切割半导体衬底的方法包含在至少一个导电结构的至少一个侧表面上形成圆角，所述至少一个导电结构位于半导体衬底的划线的上表面上，多个半导体芯片形成于所述上表面上。将激光引导至划线以沿划线、圆角以及导电结构的中心部分形成切割线。

附图说明

本公开的示例性实施例将从结合附图进行的以下详细描述而更加清楚地理解。图1至图20示出本公开的各种示例性实施例，如本文所描述。

图1为示出根据本公开的示例性实施例的半导体装置的平面视图。

图2为沿图1中的线II-II'截取的横截面视图。

图3为沿图1中的线III-III'截取的横截面视图。

图4为图2中的部分“IV”的放大横截面视图。

图5为示出图1中的TEG及圆角(fillet)的透视图。

图6为沿图1中的线VI-VI'截取的横截面视图。

图7为示出根据本公开的示例性实施例的半导体装置的平面视图。

图8为沿图7中的线VIII-VIII'截取的横截面视图。

图9为沿图7中的线XI-XI'截取的横截面视图。

图10为示出图7中的TEG及圆角的透视图。

图11为示出根据本公开的示例性实施例的半导体装置的横截面视图。