[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；

所述埋入式字线穿过所述掺杂区；

刻蚀去除相邻两所述埋入式字线之间的部分厚度的掺杂区，在相邻两所述埋入式字线之间形成接触孔；

形成填充满所述接触孔的刻蚀淀积层；

对所述刻蚀淀积层进行刻蚀处理，在所述接触孔两侧形成第一间隙；

以所述第一间隙为刻蚀开口，对所述接触孔底部的掺杂区进行刻蚀，将所述刻蚀淀积层与所述掺杂区相接面刻蚀成曲面，所述掺杂区表面的曲面为中间高两边低；

去除所述刻蚀淀积层；

在所述掺杂区的曲面上形成位线接触层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀淀积层的步骤进一步包括：

在所述接触孔的侧壁和底部形成第一淀积层；

所述第一淀积层包括第一淀积层侧壁和第一淀积层底部；

在剩余的所述接触孔中填满第二淀积层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一淀积层与所述第二淀积层不同。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一淀积层包括：氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅；所述第二淀积层包括：氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述刻蚀淀积层进行刻蚀处理的步骤进一步包括：

先刻蚀所述第一淀积层侧壁，以使所述接触孔两侧形成第一间隙。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一间隙的宽度小于所述第一淀积层底部的宽度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，以所述第一间隙为刻蚀开口，对所述掺杂区继续刻蚀，将所述第一淀积层底部与所述掺杂区相接面刻蚀成曲面；去除剩余的所述第一淀积层底部和所述第二淀积层。

8.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于：

采用稀释氢氟酸刻蚀所述第一淀积层侧壁。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，利用硅在强碱溶液中各向异性将所述第一淀积层底部与所述掺杂区相接面刻蚀成曲面。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用热磷酸去除所述第二淀积层，采用稀释氢氟酸去除剩余的所述第一淀积层底部。

11.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述曲面上依次形成位线接触层和金属层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述位线接触层为多晶硅，所述金属层为钨。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔的步骤进一步包括：

在所述半导体衬底上形成光刻胶，对所述光刻胶进行光刻工艺，在相邻两所述埋入式字线之间形成接触孔。

14.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；

所述埋入式字线穿过所述掺杂区；

相邻两所述埋入式字线之间具有接触孔；

所述接触孔底部的掺杂区为曲面，所述曲面为中间高两边低；

位线接触层，覆盖所述曲面并高于所述衬底；

金属层，位于所述位线接触层表面。