[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

该发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；埋入式字线穿过所述掺杂区；相邻两埋入式字线之间具有接触孔；在接触孔表面形成刻蚀淀积层；对刻蚀淀积层进行刻蚀处理，将刻蚀淀积层与半导体衬底相接面刻蚀成曲面；去除刻蚀淀积层。本发明通过刻蚀将半导体衬底表面刻蚀成曲面后，增大了接触孔中半导体衬底与位线接触层的接触面积，同时使两者具有较佳的附着性，从而降低位线接触面电阻，提高动态随机存取存储器的存取速度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

目前业界传统动态随机存取存储器，单个存储单元器件由一个MOS晶体管和一个存储电容组成，其中MOS的栅极与动态随机存取存储器的字线相连，MOS的漏、源端连着动态随机存取存储器的位线和存储电容。关于位线结构是在N+硅上生成位线接触层和金属层，由于随着集成电路的精细度提升生产工艺越来越先进，对位线工艺制程的要求也越高，位线接触层与N+硅之间接触面积愈来愈小，接触面积减小使得接触电阻增加，进而影响存储速度。因此，如何降低接触电阻提升现有存储器的性能，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其形成方法，通过增大接触面积降低位线接触面电阻，从而提高动态随机存取存储器的存取速度。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；埋入式字线穿过所述掺杂区；相邻两埋入式字线之间具有接触孔；在接触孔表面形成刻蚀淀积层；对刻蚀淀积层进行刻蚀处理，将刻蚀淀积层与半导体衬底相接面刻蚀成曲面；去除刻蚀淀积层。

可选的，形成刻蚀淀积层的步骤进一步还包括：在接触孔的侧壁和底部形成第一淀积层；第一淀积层包括第一淀积层侧壁和第一淀积层底部；在剩余的接触孔中填满第二淀积层。

可选的，第一淀积层与第二淀积层不同。

可选的，第一淀积层包括：氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅；第二淀积层包括：氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅。

可选的，对第一淀积层进行刻蚀处理的步骤进一步包括：先刻蚀第一淀积层侧壁，以使接触孔两侧形成第一间隙。

可选的，第一间隙的宽度小于第一淀积层底部的宽度。

可选的，以第一间隙为刻蚀开口，对掺杂区继续刻蚀，将第一淀积层底部与掺杂区相接面刻蚀成曲面；去除剩余的第一淀积层底部和第二淀积层。

可选的，采用稀释氢氟酸刻蚀所述第一淀积层侧壁。

可选的，利用硅在强碱溶液中的各向异性将第一淀积层底部与掺杂区相接面刻蚀成曲面。

可选的，采用热磷酸去除第二淀积层，采用稀释氢氟酸去除剩余的第一淀积层底部。

可选的，在曲面上依次形成位线接触层和金属层。

可选的，位线接触层为多晶硅，金属层为钨。

本发明的的技术方案还提供一种半导体器件，包括：

半导体衬底，在半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；

所述埋入式字线穿过所述掺杂区；