[发明专利]电路板上倒装芯片减薄方法、研磨钻头和固定底座

权利要求书

1.一种电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：

在固定底座上粘贴泡沫双面胶，将电路板背面的插针插入泡沫双面胶，电路板上的待减薄倒装芯片位于所述电路板远离固定底座的一侧，所述固定底座固定安装在芯片减薄平台上，所述固定底座包括铝制的矩形板，所述铝制的矩形板上开设有用于安装固定的多个通孔；

在研磨钻头的研磨端面上粘贴研磨膜，使所述固定底座在所述芯片减薄平台的带动下带动所述电路板运动，为待减薄倒装芯片提供相对所述研磨钻头的运动，对所述待减薄倒装芯片的背面进行研磨，直至所述待减薄倒装芯片的厚度达到预设研磨厚度；

其中，所述研磨钻头包括第一圆柱状结构，所述第一圆柱状结构的侧壁上开设有矩形槽；第二圆柱状结构，所述第二圆柱状结构的直径大于所述第一圆柱状结构的直径，所述第二圆柱状结构的第一端面机械连接所述第一圆柱状结构，所述第二圆柱状结构的第二端面为研磨端面，所述研磨端面直径小于或等于所述待减薄倒装芯片宽度；

去除所述研磨膜，并在所述研磨钻头的研磨端面上粘贴抛光布，对所述待减薄倒装芯片的背面进行抛光，直至所述待减薄倒装芯片的厚度达到预设抛光厚度。

2.根据权利要求1所述的电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，

在研磨钻头的研磨端面上粘贴研磨膜，对所述待减薄倒装芯片的背面进行研磨，直至所述待减薄倒装芯片的厚度达到预设研磨厚度的步骤，包括：

在所述研磨钻头的研磨端面上粘贴第一粒度研磨膜，对所述待减薄倒装芯片的背面进行粗磨，直至达到预设粗磨厚度；

去除所述第一粒度研磨膜，并在所述研磨钻头的研磨端面上粘贴第二粒度研磨膜，对所述待减薄倒装芯片的背面进行细磨，直至达到所述预设研磨厚度；所述第二粒度研磨膜的粒度小于所述第一粒度研磨膜的粒度。

3.根据权利要求2所述的电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，所述第一粒度研磨膜为45微米粒度的研磨膜。

4.根据权利要求2所述的电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，所述第二粒度研磨膜为30微米粒度的研磨膜。

5.根据权利要求1所述的电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，在研磨过程中，在待减薄倒装芯片的背面滴上水或氧化硅悬浮液。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，

去除所述研磨膜，并在所述研磨钻头的研磨端面上粘贴抛光布，对所述待减薄倒装芯片的背面进行抛光，直至所述待减薄倒装芯片的厚度达到预设抛光厚度的步骤，包括：

去除所述研磨膜，并在所述研磨钻头的研磨端面上粘贴第一抛光布，并在第一粒度金刚石悬浮液下对所述待减薄倒装芯片的背面进行预设时长的抛光；

去除所述第一抛光布，并在所述研磨钻头的研磨端面上粘贴第二抛光布，并在第二粒度金刚石悬浮液下对所述待减薄倒装芯片的背面进行抛光，直至达到预设抛光厚度。

7.根据权利要求6所述的电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，所述第一抛光布为Kempad型抛光布；所述第一粒度金刚石悬浮液为6微米粒度金刚石悬浮液。

8.根据权利要求6所述的电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，所述第二抛光布为Red Final C型植绒布；所述第二粒度金刚石悬浮液为1微米粒度金刚石悬浮液。

9.根据权利要求6所述的电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，所述预设时长为60秒至90秒。

10.根据权利要求1所述的电路板上倒装芯片减薄方法，其特征在于，采用多点厚度测量方法，监测待减薄倒装芯片在减薄过程中的厚度。