[发明专利]微发光二极管芯片及显示面板

说明书

本发明提供一种微发光二极管芯片及显示面板，其中，微发光二极管芯片包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、第一类型电极层、第二类型电极层、绝缘钝化层和填充层，第一类型半导体层包括第一凸台和第二凸台，第一凸台与第二凸台之间形成凹陷区；第二凸台上层叠设置有发光层和第二类型半导体层；第一类型电极层覆盖第一凸台以及部分凹陷区；绝缘钝化层覆盖第二凸台的侧壁、部分第二类型半导体层远离发光层的一面以及位于凹陷区内的至少部分第一类型电极层；第二类型电极层覆盖绝缘钝化层和部分所述第二类型半导体层远离发光层的一面；填充层至少部分填充在凹陷区，本发明提供的微发光二极管芯片解决了转移难度大的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管芯片及显示面板。

背景技术

微发光二极管(μLED)显示屏是一种以在一个基板上集成尺寸在百微米级别以下的LED芯片作为显示像素实现图像显示的显示屏，其中每一个像素可单独驱动点亮，微发光二极管显示屏是一种自发光显示屏。

在微发光二极管显示面板的制作过程中，要将微发光二极管从生长基板上转移到临时基板上，然后再转移到驱动背板上，由于倒装结构的芯片厚度通常只有约3微米，因此在批量转移微发光二极管时芯片在受力过程中容易断裂失效。

因此现有的微发光二极管芯片存在转移时易断裂、转移难度大的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种微发光二极管芯片及显示面板，用以解决现有的微发光二极管芯片转移难度大的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种微发光二极管芯片，包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、第一类型电极层、第二类型电极层、绝缘钝化层和填充层，其中，

所述第一类型半导体层包括第一凸台和第二凸台，所述第一凸台与所述第二凸台之间形成凹陷区；

所述第二凸台上层叠设置有发光层和第二类型半导体层；

所述第一类型电极层覆盖所述第一凸台以及部分所述凹陷区；

所述绝缘钝化层覆盖所述第二凸台的侧壁、部分所述第二类型半导体层远离所述发光层的一面以及位于所述凹陷区内的至少部分所述第一类型电极层；

所述第二类型电极层覆盖所述绝缘钝化层和部分所述第二类型半导体层远离所述发光层的一面；

所述填充层至少部分填充在所述凹陷区。此微发光二极管芯片解决了转移难度大、显示效果差的问题。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述填充层包裹所述第一类型电极层、所述绝缘钝化层和所述第二类型电极层。增强了微发光二极管芯片的结构强度，降低或避免了微发光二极管芯片断裂的可能性。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述填充层为环氧树脂胶或旋涂玻璃。环氧树脂胶和旋涂玻璃均为透明状，能够避免影响微发光二极管芯片的出光率。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，还包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘设置在所述第一类型电极层上远离所述第一类型半导体层的一侧，所述第二焊盘设置在所述第二类型电极层上远离所述第二类型半导体层的一侧。第一焊盘和第二焊盘用于与背板进行绑定。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述第一焊盘和所述第二焊盘的远离所述第一类型半导体层的一侧在竖直方向上平齐，且所述第一焊盘与所述填充层的远离所述第一类型半导体层的一侧在竖直方向上平齐或所述第一焊盘凸出所述填充层。这样的设置有利于后续焊接时进行对准。