[发明专利]一种LED的陶瓷封装装置在审
申请号: | 201910946094.4 | 申请日: | 2019-10-02 |
公开(公告)号: | CN112599649A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 刘国旭;申崇渝;卓越 | 申请(专利权)人: | 北京易美新创科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/56 |
代理公司: | 北京嘉科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11687 | 代理人: | 刘力 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 陶瓷封装 装置 | ||
本发明涉及陶瓷封装装置技术领域,提供了一种深紫外LED的陶瓷封装装置,包括封装本体,所述封装本体包括陶瓷基板;所述陶瓷基板上连接有陶瓷墙体,远离所述陶瓷基板侧的所述陶瓷墙体的端部连接有石英透镜;靠近所述石英透镜侧的所述陶瓷基板上设有深紫外LED发射器;靠近所述深紫外LED发射器侧的所述陶瓷墙体的墙面,与靠近所述深紫外LED发射器侧的所述陶瓷基板的板面的夹角为135°至165°。本发明中,靠近深紫外LED发射器侧的陶瓷墙体由石英透镜向陶瓷基板方向呈现倾斜。当深紫外LED发射器发射出的光源穿过石英透镜时,会有部分光反射回该倾斜的墙面,反射回该倾斜的墙面的光会再次反射至石英透镜。因此,提高了深紫外LED发射器发射出的光的利用率。
技术领域
本发明涉及陶瓷封装装置技术领域,具体涉及一种LED的陶瓷封装装置。
背景技术
紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED,将短于300nm时称为深紫外LED。随着科技的发展,深紫外线技术用处越广泛。
但是,现有的深紫外LED的封装装置中的深紫外线光利用率较低,导致深紫外LED光线有所浪费,导致光的利用率有所欠缺。此外,现有的深紫外LED的封装装置产品通常使用塑料注塑,塑料注塑的深紫外LED的封装装置长期在深紫外LED光照下变黄,影响深紫外LED的封装装置的性能。
如何有效地解决上述技术问题,是目前本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题,本发明提供了一种LED的陶瓷封装装置。
LED的陶瓷封装装置包括封装本体,所述封装本体包括陶瓷基板。
所述陶瓷基板上连接有陶瓷墙体,远离所述陶瓷基板侧的所述陶瓷墙体的端部连接有石英透镜。
靠近所述石英透镜侧的所述陶瓷基板上连接有深紫外LED发射器。
靠近所述深紫外LED发射器侧的所述陶瓷墙体的墙面,与靠近所述深紫外LED发射器侧的所述陶瓷基板的板面的夹角为135°至165°。
可选的,所述陶瓷基板与所述陶瓷墙体之间通过胶水相粘接。
可选的,所述陶瓷基板与所述陶瓷墙体之间通过连接件相连接。
可选的,靠近所述石英透镜侧的所述陶瓷基板上设有用于放置深紫外LED发射器的发射器存放槽。
可选的,所述发射器存放槽设置在靠近所述石英透镜侧的所述陶瓷基板的中央。
可选的,所述深紫外LED发射器发射出的激光经过所述石英透镜发出。
可选的,所述陶瓷墙体与所述深紫外LED发射器之间的所述陶瓷基板的表面设有限位件。
可选的,所述限位件与靠近所述深紫外LED发射器侧的所述陶瓷墙体的墙面相邻。
可选的,靠近所述石英透镜侧的所述陶瓷墙体的墙面设有防滑件。
可选的,靠近所述石英透镜侧的所述陶瓷墙体的墙面设有柔性件。
在本发明中,靠近深紫外LED发射器侧的陶瓷墙体由石英透镜向陶瓷基板方向呈现倾斜。当深紫外LED发射器发射出的光源穿过石英透镜时,会有部分光反射回该倾斜的墙面,反射回该倾斜的墙面的光会再次反射至石英透镜。因此,提高了深紫外LED发射器发射出的光的利用率。
附图说明
图1是本发明一实施例提供的LED的陶瓷封装装置的结构示意图;
图2是本发明一实施例提供的发射器存放槽的结构示意图;
图3是本发明一实施例提供的限位件的结构示意图;
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