[发明专利]一种芯片生产用离子注入设备有效

专利信息
申请号: 201910946233.3 申请日: 2019-10-03
公开(公告)号: CN110600354B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 冯聪 申请(专利权)人: 山东昆仲信息科技有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01L21/67
代理公司: 山东诚杰律师事务所 37265 代理人: 王志强
地址: 276000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 生产 离子 注入 设备
【权利要求书】:

1.一种芯片生产用离子注入设备,包括:壳体(1),其特征在于:所述壳体(1)内部下端固定安装有支撑架(2),支撑架(2)的上端固定安装有固定壳(3),固定壳(3)内部的下端固定安装有固定块(4),固定块(4)上表面的凸出处滑动连接有活动柱(5),所述固定壳(3)的内部固定安装有刻度板(6),刻度板(6)的正面滑动搭接有活动杆(7),活动杆(7)的两端固定安装有两个相对称的卡球(8),所述活动杆(7)的上端固定安装有离子发生器(9),离子发生器(9)的上端贯穿并延伸至固定壳(3)的外部,离子发生器(9)的上端固定安装有固定板(10),固定板(10)的两端通过密封球(11)螺纹连接有喷射壳(12),喷射壳(12)的两端固定安装有喷射头(13),所述喷射壳(12)内腔的中部固定安装有固定横杆(14),所述壳体(1)的内壁固定安装有两个相对称的喷气管(15),所述固定横杆(14)位于离子发生器(9)的正上方,且固定横杆(14)的直径小于离子发生器(9)的直径,所述喷气管(15)位于壳体(1)的内壁呈向下倾斜三十至四十五度,且喷气管(15)内填充氮气,所述壳体(1)的上端活动安装有上盖,上盖的下端活动安装有半导体,半导体位于离子发生器(9)的正上方,所述固定横杆(14)的直径与喷射壳(12)中部的内直径相适配,所述喷射头(13)位于喷射壳(12)上呈倾斜向固定横杆(14)的一端倾斜,所述活动杆(7)下端的背面固定安装有固定条,刻度板(6)的正面开有与活动杆(7)相适配的滑道。

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