[发明专利]一种芯片生产用离子注入设备

说明书

本发明涉及芯片生产技术领域，且公开了一种芯片生产用离子注入设备，包括壳体，所述壳体内部下端固定安装有支撑架，支撑架的上端固定安装有固定壳，固定壳内部的下端固定安装有固定块，固定块上表面的凸出处滑动连接有活动柱，所述固定壳的内部固定安装有刻度板，刻度板的正面滑动搭接有活动杆。通过离子发生器、固定板、密封球、喷射壳、喷射头与固定横杆的配合使用，可以有效的将离子发生器内的离子均匀的分布在喷射壳内部的两端，具备可将离子均匀的打在半导体上的优点，保证了半导体上的离子尽可能的均匀分布一直，避免了传统喷射工艺中，喷出的来的离子在半导体上，呈中间多，四周少的情况。

技术领域

本发明涉及芯片生产技术领域，具体为一种芯片生产用离子注入设备。

背景技术

现代的半导体制造工艺中制造一个完整的半导体器件一般要用到许多步的离子注入，离子注入的最主要工艺参数是杂质种类,注入能量和掺杂剂量。杂质种类是指选择何种原子注入硅基体,一般杂质种类可以分为N型和P型两类,N型主要包括磷,砷,锑等,而P型则主要包括硼,铟等，注入能量决定了杂质原子注入硅晶体的深度,高能量注入得深，而低能量注入得浅。掺杂剂量是指杂质原子注入的浓度,其决定了掺杂层导电的强弱，通常半导体器件的设计者需要根据具体的目标器件特性为每一步离子注入优化以上这些工艺参数。

目前的芯片离子注入设备在使用时，离子的喷射头大部分只有一个，这样就会导致通过喷射头喷出的来的离子在半导体上，呈中间多，四周少的情况，使得离子打在半导体上不均匀分布，从而影响半导体在制成芯片后的品质，导致芯片需要重新制作或者再次回炉加工，浪费了较多的加工时间，以及人力与物力的消耗，给人们带来了较多的不便。

为解决上述问题，发明者提出了芯片生产用离子注入设备，具备可将离子均匀的打在半导体上的优点，保证了半导体上的离子尽可能的均匀分布一直，避免了传统喷射工艺中，喷出的来的离子在半导体上，呈中间多，四周少的情况。

发明内容

本发明为实现技术目的采用如下技术方案：一种芯片生产用离子注入设备，包括：壳体，所述壳体内部下端固定安装有支撑架，支撑架的上端固定安装有固定壳，固定壳内部的下端固定安装有固定块，固定块上表面的凸出处滑动连接有活动柱，所述固定壳的内部固定安装有刻度板，刻度板的正面滑动搭接有活动杆，活动杆的两端固定安装有两个相对称的卡球，所述活动杆的上端固定安装有离子发生器，离子发生器的上端贯穿并延伸至固定壳的外部固定安装有固定板，固定板的两端通过密封球螺纹连接有喷射壳，喷射壳的两端固定安装有喷射头，所述喷射壳内腔的中部固定安装有固定横杆，所述支撑架的内壁固定安装有两个相对称的喷气管。

进一步的，所述固定板、密封球、喷射壳与喷射头共同组成了离子枪头。

进一步的，所述固定横杆位于离子发生器的正上方，且固定横杆的直径小于离子发生器的直径，主要是为了将通过离子发生器喷射出来的离子给分为两半。

进一步的，所述喷气管位于壳体的内壁呈向下倾斜三十至四十五度，且喷气管内填充氮气，主要是为了如果喷射头喷出的离子速度过快，打入半导体内部容易使离子位于半导体内部的位置不均一，导致影响半导体质量受到影响，往喷气管内充氮气是因为利用氮气的惰性特点，不会与喷射出的离子发生反应。

进一步的，所述壳体的上端活动安装有上盖，上盖的下端活动安装有半导体，半导体位于离子发生器的正上方。

进一步的，所述固定横杆的直径与喷射壳中部的内直径相适配，主要是为了保证喷射壳内部两端的离子均等。

进一步的，所述喷射头位于喷射壳上呈倾斜向固定横杆的一端倾斜，主要是为了均匀的将离子喷射在半导体上。

进一步的，所述活动杆下端的背面固定安装有固定条，刻度板的正面开有与活动杆相适配的滑道，主要是为了帮助活动杆调整角度用的。

本发明具备以下有益效果：