[发明专利]回磨方法、衬底晶片以及电子器件

权利要求书

1.一种回磨方法，其特征在于，包括：

利用SF₆作为刻蚀气体对待回磨物体进行第一等离子蚀刻；

利用CH₄作为刻蚀气体对所述第一等离子蚀刻后的待回磨物体进行第二等离子蚀刻；

对所述第二等离子蚀刻后的待回磨物体进行化学机械抛光；

所述待回磨物体经过预处理，所述预处理包括：在碱性清洗液中超声波清洗所述待回磨物体；

所述碱性清洗液的pH为8-11；

所述超声波清洗时的温度为50-80℃；

所述超声波清洗的时间为30-60分钟。

2.根据权利要求1所述的回磨方法，其特征在于，所述第一等离子蚀刻满足以下条件中的至少一种：

源功率为300-1500W；

偏压源功率为50-300W；

刻蚀气体流量为20-80sccm；

真空度为5.5×10^-3-6.5×10^-3Pa；以及

蚀刻时间为20-200分钟。

3.根据权利要求1或2所述的回磨方法，其特征在于，所述第二等离子蚀刻满足以下条件中的至少一种：

源功率为300-2000W；

偏压源功率为50-350W；

刻蚀气体流量为20-80sccm；

真空度为5.5×10^-3-6.5×10^-3Pa；以及

蚀刻时间为20-200分钟。

4.根据权利要求3所述的回磨方法，其特征在于，在所述第一等离子蚀刻之后以及所述第二等离子蚀刻之前还包括第一清洁吹扫的步骤；

在所述第二等离子蚀刻之后以及所述化学机械抛光之前还包括第二清洁吹扫的步骤；

利用氧气进行所述第一清洁吹扫和/或所述第二清洁吹扫；

所述第一清洁吹扫和/或所述第二清洁吹扫时，氧气的流量为5-30sccm。

5.根据权利要求4所述的回磨方法，其特征在于，在所述第二清洁吹扫之后以及所述化学机械抛光之前还包括：对所述待回磨物体进行清洁处理的步骤；

对所述待回磨物体进行清洁处理包括：对所述待回磨物体依次进行氮气吹扫和超声处理。

6.根据权利要求1所述的回磨方法，其特征在于，所述化学机械抛光时抛光液的pH为3-8；

所述化学机械抛光后，所述待回磨物体的厚度的移除量为1-3微米；

所述化学机械抛光后，所述待回磨物体表面的粗糙度小于0.2微米；

所述化学机械抛光后，还包括利用酸性液体对所述待回磨物体进行清洗的步骤。

7.根据权利要求1、2、4、5或6所述的回磨方法，其特征在于，所述待回磨物体包括单晶碳化硅、蓝宝石、氮化镓以及单晶硅中的至少一种。

8.一种衬底晶片，其特征在于，所述衬底晶片是利用权利要求1-7任一项所述的回磨方法对待回磨物体进行加工得到的。

9.一种电子器件，其特征在于，包括权利要求8所述的衬底晶片。