[发明专利]回磨方法、衬底晶片以及电子器件有效

申请号：	201910947091.2	申请日：	2019-09-30
公开（公告）号：	CN110648909B	公开（公告）日：	2022-03-18
发明（设计）人：	林武庆;张洁;陈文鹏;叶智荃	申请（专利权）人：	福建北电新材料科技有限公司
主分类号：	H01L21/306	分类号：	H01L21/306;H01L21/3065;H01L29/06;H01L21/02
代理公司：	北京超成律师事务所 11646	代理人：	董佳
地址：	362200 福建省泉州***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	方法衬底晶片以及电子器件
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【说明书】：

本发明提供了一种回磨方法、衬底晶片以及电子器件，涉及半导体技术领域，回磨方法包括：利用SF₆作为刻蚀气体对待回磨物体进行第一等离子蚀刻；利用CH₄作为刻蚀气体对所述第一等离子蚀刻后的待回磨物体进行第二等离子蚀刻；对所述第二等离子蚀刻后的待回磨物体进行化学机械抛光。该回磨方法可以缩短加工时间，减少待回磨物体破裂的风险，化学机械抛光时对待回磨物体的移除量少，达到降低成本提高产能的效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种回磨方法、衬底晶片以及电子器件。

背景技术

在衬底材料中，例如半导体材料，第三代最为常见的材料为碳化硅，碳化硅的回磨方法主要有以下方法：1、贴片、铜抛、卸片清洗然后抛光，最后清洗检测；2、晶研削机台加工、抛光移除加工损伤、最后清洗检测。上述回磨方法非常复杂，而且抛光过程中影响因数大，如转数、压力、浆料等都会造成抛光结果异常，另外，抛光之前还需要多道硬加工，如铜抛、研削等工艺，耗时长管控难度高，且过程中容易出现半导体材料翘曲而导致破裂的现象，这些都会影响碳化硅回磨片加工的效率与品质。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种回磨方法，该回磨方法可以缩短加工时间，减少待回磨物体破裂的风险，化学机械抛光时对待回磨物体的移除量少，达到降低成本提高产能的效果。

本发明提供的回磨方法，包括：

利用SF₆作为刻蚀气体对待回磨物体进行第一等离子蚀刻；

利用CH₄作为刻蚀气体对所述第一等离子蚀刻后的待回磨物体进行第二等离子蚀刻；

对所述第二等离子蚀刻后的待回磨物体进行化学机械抛光。

进一步地，所述第一等离子蚀刻满足以下条件中的至少一种：

源功率为300-1500W；

偏压源功率为50-300W；

刻蚀气体流量为20-80sccm；

真空度为5.5×10^-3-6.5×10^-3Pa；以及