[发明专利]抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201910947236.9 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110653720B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张洁;林武庆;陈文鹏;叶智荃 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/24 | 分类号： | B24B37/24;B24B37/26;H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 董佳 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 器件 及其 制备 方法 以及 半导体器件 | ||
1.一种抛光器件，其特征在于，包括：
抛光头；
抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；
其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10-80mm，所述抛光垫的厚度为0.5-6mm；
所述抛光垫的宽度为40-100mm。
2.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光垫的环宽为40-60mm，所述抛光垫的厚度为1.8-2.5mm。
3.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光垫的硬度为60-90 HB。
4.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光垫的材质包括橡胶、无纺布以及复合型中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述抛光垫的中心与所述抛光头的中心在一条直线上。
6.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光垫的形状为圆环形。
7.根据权利要求6所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光头的截面形状为圆形。
8.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，还包括：陶瓷盘，所述陶瓷盘设置在所述抛光头和所述抛光垫之间。
9.根据权利要求8所述的抛光器件，其特征在于，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述陶瓷盘的中心、所述抛光垫的中心以及所述抛光头的中心在一条直线上。
10.一种权利要求1-9任一项所述的抛光器件的制备方法，其特征在于，包括：将抛光垫设置在抛光头的表面上，得到所述抛光器件。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在温度与室温相差±2℃时将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上的方式为贴附。
13.一种抛光方法，其特征在于，包括：将权利要求1-9任一项所述的抛光器件的抛光垫与待抛光物体接触进行抛光，在所述抛光时将抛光液输送至所述抛光垫上以及所述待抛光物体的表面。
14.根据权利要求13所述的抛光方法，其特征在于，先将所述待抛光物体放置在抛光盘的表面上，再将所述抛光垫与所述抛光物体接触进行所述抛光，其中，所述待抛光物体位于所述抛光盘与所述抛光垫之间。
15.根据权利要求13所述的抛光方法，其特征在于，所述抛光满足以下条件中的至少一种：
所述抛光头的压力为0.3-0.5kg/cm2；
所述抛光头的转速为40-60rpm；
所述抛光盘的转速为50-70rpm；
所述抛光液流速为90-110ml/min；以及，
所述抛光的温度为40-45℃。
16.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的至少一部分表面是利用权利要求13-15任一项所述的抛光方法抛光得到的。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括SiC衬底晶片、硅衬底晶片及蓝宝石衬底晶片中的至少一种。
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