[发明专利]抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件

说明书

本发明提供了一种抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件，涉及半导体技术领域，抛光器件包括：抛光头；抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10‑80mm，所述抛光垫的厚度为0.5‑6mm。利用该抛光器件抛光获得的半导体器件表面粗糙度低、平坦度高、TTV值较低以及TTV值较为集中。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件。

背景技术

半导体器件，例如SiC衬底晶片，选用的半导体材料为碳化硅(SiC)晶体材料，该材料因其具有宽禁带、高击穿场、大热导率、电子饱和漂移速度高、抗辐射强和良好化学稳定性的优越性质，成为新一代微电子器件和电路的关键半导体材料；SiC衬底晶片的加工包括晶棒的线切、研磨、倒角、退火、铜抛以及抛光等制程，经过线切后晶片表面都会留下较大的损伤层和残留应力，需要通过研磨、退火、铜抛、抛光逐步的进行修复。抛光做为SiC衬底晶片(例如衬底晶片)的最后一道加工直接影响SiC衬底晶片的表面粗糙度和晶片的总厚度差(TTV)。然而目前抛光获得的半导体器件仍存在TTV值偏高的现象。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种抛光器件，利用该抛光器件抛光获得的半导体器件表面粗糙度低、平坦度高、TTV值较低以及TTV值较为集中。

本发明提供的抛光器件包括：

抛光头；

抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；

其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10-80mm，所述抛光垫的厚度为0.5-6mm；

优选地，所述抛光垫的环宽为40-60mm，所述抛光垫的厚度为1.8-2.5mm。

进一步地，所述抛光垫的硬度为60-90HB；

优选地，所述抛光垫的材质包括橡胶、无纺布以及复合型中的至少一种。

进一步地，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述抛光垫的中心与所述抛光头的中心在一条直线上；

优选地，所述抛光垫的形状为圆环形；

优选地，所述抛光头的截面形状为圆形。

进一步地，所述抛光垫的宽度为40-100mm。

进一步地，还包括：陶瓷盘，所述陶瓷盘设置在所述抛光头和所述抛光垫之间；

优选地，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述陶瓷盘的中心、所述抛光垫的中心以及所述抛光头的中心在一条直线上。

一种前面所述的抛光器件的制备方法，包括：将抛光垫设置在抛光头的表面上，得到所述抛光器件。

进一步地，在温度与室温相差±2℃时将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；

优选地，将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上的方式为贴附。

一种抛光方法，包括：将前面所述的抛光器件的抛光垫与待抛光物体接触进行抛光，在所述抛光时将抛光液输送至所述抛光垫上以及所述待抛光物体的表面；

优选地，先将所述待抛光物体放置在抛光盘的表面上，再将所述抛光垫与所述抛光物体接触进行所述抛光，其中，所述待抛光物体位于所述抛光盘与所述抛光垫之间。

进一步地，所述抛光满足以下条件中的至少一种：

所述抛光头的压力为0.3-0.5kg/cm²；

所述抛光头的转速为40-60rpm；