[发明专利]用于控制抛光均匀性的化学机械抛光装置

权利要求书

1.一种化学机械抛光CMP装置，包括：

抛光台板上的抛光垫；

所述抛光垫上的抛光头，所述抛光头包括：

隔膜，用于将晶片保持在所述抛光垫上，以及

抛光浆料馈送线，用于馈送抛光浆料；以及

保持环，围绕所述隔膜并与所述抛光垫接触以防止所述晶片脱离，所述保持环包括连接到所述抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口，以将所述抛光浆料馈送到所述抛光垫上。

2.根据权利要求1所述的CMP装置，其中：

所述保持环包括耦接到所述抛光头的底部的环形主体部分，并且

所述抛光浆料馈送入口包括穿透所述环形主体部分的通孔。

3.根据权利要求2所述的CMP装置，其中，在所述通孔的截面图中，所述通孔的顶部宽度大于所述通孔的底部宽度。

4.根据权利要求2所述的CMP装置，其中，所述通孔沿所述环形主体部分设置为多个通孔，所述多个通孔处于距所述环形主体部分的中心点相同的距离内。

5.根据权利要求2所述的CMP装置，其中，所述通孔沿着所述环形主体部分设置为多个通孔，所述多个通孔处于距所述环形主体部分的中心点不同的距离处。

6.根据权利要求1所述的CMP装置，其中，所述抛光浆料馈送线与所述抛光浆料馈送入口和所述抛光垫流体连通，并且所述抛光浆料包括研磨剂、钝化剂、氧化剂和螯合剂中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的CMP装置，其中，所述抛光头包括头部主体部分，所述抛光浆料馈送线延伸穿过所述头部主体部分。

8.根据权利要求1所述的CMP装置，其中，所述保持环包括：

环形主体部分，耦接到所述抛光头的底部，

多个防流动凸块，从所述环形主体部分延伸，所述多个防流动凸块用于防止所述抛光浆料在所述环形主体部分与所述抛光垫接触的接触表面处流动，以及

流动槽，在所述多个防流动凸块中的相邻防流动凸块之间。

9.根据权利要求8所述的CMP装置，其中，所述抛光浆料馈送入口通过所述流动槽和所述多个防流动凸块中的至少一个。

10.根据权利要求1所述的CMP装置，其中，所述保持环包括：

第一环形主体部分，耦接到所述抛光头的底部；以及

第二环形主体部分，耦接到所述第一环形主体部分并接触所述抛光垫，所述抛光浆料馈送入口包括穿透所述第一环形主体部分和所述第二环形主体部分的通孔。

11.根据权利要求10所述的CMP装置，其中，所述第一环形主体部分包括金属材料，并且所述第二环形主体部分包括塑料材料。

12.根据权利要求10所述的CMP装置，其中，所述第二环形主体部分包括安装槽，所述第一环形主体部分安装在所述安装槽中。

13.根据权利要求1所述的CMP装置，其中，所述抛光浆料馈送线包括连接到不同浆料源的第一辅助抛光浆料馈送线和第二辅助抛光浆料馈送线，所述第一辅助抛光浆料馈送线和第二辅助抛光浆料馈送线都延伸穿过所述抛光头。

14.根据权利要求1所述的CMP装置，还包括：附加的抛光浆料馈送线，在所述抛光头的外部并直接面向所述抛光垫，所述抛光浆料馈送入口将所述抛光浆料馈送线连接到所述抛光垫。