[发明专利]用于控制抛光均匀性的化学机械抛光装置

说明书

一种化学机械抛光(CMP)装置包括：抛光台板上的抛光垫；抛光垫上的抛光头，该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离，该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口，以将抛光浆料馈送到抛光垫上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月10日在韩国知识产权局提交的题为“用于控制抛光均匀性的化学机械抛光装置”的韩国专利申请10-2018-0158375的优先权，其全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种化学机械抛光(CMP)装置，更具体地，涉及一种能够控制抛光均匀性的CMP装置。

背景技术

随着在半导体器件的结构中所包括的层的数量增加，已经研究了用于在半导体器件的制造期间对形成在晶片上的材料层(例如，金属层或绝缘层)进行平坦化的平坦化工艺。例如，可以通过使用化学机械抛光(CMP)装置来执行平坦化工艺。

发明内容

根据实施例的一个方面，提供了一种CMP装置，其包括：抛光台板上的抛光垫；抛光头，包括被配置成将晶片保持在抛光垫上的隔膜以及被配置成馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜以接触抛光垫以防止晶片脱离，并且具有连接到抛光浆料馈送线并配置成将抛光浆料馈送到抛光垫上的抛光浆料馈送入口。

根据实施例的另一方面，提供了一种CMP装置，包括：抛光台板上的抛光垫；抛光头，包括被配置成将晶片保持在抛光垫上的隔膜以及抛光浆料馈送线，该抛光浆料馈送线包括配置成馈送第一辅助抛光浆料的第一辅助抛光浆料馈送线、以及配置成馈送第二辅助抛光浆料的第二辅助抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜以接触抛光垫以防止晶片脱离，并且具有配置成将第一辅助抛光浆料馈送到抛光垫上的第一辅助抛光浆料馈送入口、以及配置成将第二辅助抛光浆料馈送到抛光垫上的第二辅助抛光浆料馈送入口。

根据实施例的另一方面，提供了一种CMP装置，包括：抛光台板上的抛光垫；第一抛光浆料馈送线，被配置成将第一抛光浆料馈送到抛光垫上；抛光头，包括被配置成将晶片保持在抛光垫上的隔膜以及配置成馈送第二抛光浆料的第二抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜以接触抛光垫以防止晶片脱离，并且具有围绕晶片以馈送第二抛光浆料的抛光浆料馈送入口，以便控制晶片边缘部分上的材料层的抛光速率。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，本领域技术人员将显而易见各特征，在附图中：

图1和图2示出了根据实施例的化学机械抛光(CMP)装置的截面图；

图3至图5示出了根据实施例的图1至图2的CMP装置中的保持环的视图；

图6A、图6B、图7A和图7B示出了根据实施例的用于图1至图2的CMP装置的保持环的抛光浆料馈送入口的视图；

图8和图9分别示出了根据实施例的CMP装置中的保持环的平面图和截面图；

图10示出了根据实施例的CMP装置中的保持环的平面图；

图11示出了根据实施例的CMP装置的截面图；

图12示出了图11的CMP装置中的保持环的截面图；

图13和图14分别示出了根据实施例的CMP装置中的保持环的透视图和截面图；

图15和图16分别示出了根据实施例的CMP装置中的保持环的分解透视图和截面图；

图17示出了当由根据实施例的CMP装置抛光晶片时基于晶片的位置的材料层的抛光量的曲线图；以及