[发明专利]半导体封装件和包括该半导体封装件的天线模块

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

芯结构，具有第一通孔，所述芯结构包括具有开口的框架、设置在所述开口中的无源组件、覆盖所述框架和所述无源组件中的每个的至少一部分并填充所述开口的至少一部分的第一包封剂、设置在所述第一通孔的内表面上的第一金属层以及设置在所述开口的内表面上的第二金属层；

第一半导体芯片，设置在所述第一通孔中，所述第一半导体芯片具有第一有效表面和第一无效表面，在所述第一有效表面上设置有第一连接垫，所述第一无效表面与所述第一有效表面背对；

第二包封剂，覆盖所述芯结构和所述第一半导体芯片中的每个的至少一部分，并填充所述第一通孔的至少一部分；

连接结构，设置在所述芯结构和所述第一有效表面上，并包括电连接到所述第一连接垫和所述无源组件的重新分布层；以及

金属图案层，设置在所述第二包封剂上，

其中，所述第一金属层和所述第二金属层分别延伸到所述第一包封剂和所述框架的各自面对所述金属图案层的表面，并且

所述第一金属层和所述第二金属层通过具有彼此不同的高度的第一金属过孔和第二金属过孔连接到所述金属图案层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述第二包封剂覆盖所述第一包封剂的面对所述金属图案层的表面，

所述第一金属过孔穿过所述第二包封剂，

所述第二金属过孔穿过所述第一包封剂和所述第二包封剂，并且

所述第二金属过孔比所述第一金属过孔高。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述芯结构还具有形成在所述开口中的第二通孔，并且还包括设置在所述第二通孔的内表面上的第三金属层，

第二半导体芯片设置在所述第二通孔中，所述第二半导体芯片具有第二有效表面和第二无效表面，在所述第二有效表面上设置有第二连接垫，所述第二无效表面与所述第二有效表面背对，

所述第二包封剂覆盖所述第二半导体芯片的至少一部分并填充所述第二通孔的至少一部分，

所述连接结构设置在所述第二有效表面上，并且

所述重新分布层电连接到所述第二连接垫。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述金属图案层设置在所述第二包封剂上，以覆盖所述第一无效表面和所述第二无效表面中的每个的正上方的区域和所述无源组件的正上方的区域。

5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第三金属层延伸到所述第一包封剂的面对所述金属图案层的表面，

第三金属过孔将所述第三金属层连接到所述金属图案层，

所述第三金属过孔穿过所述第二包封剂，并且

所述第三金属过孔的高度与所述第一金属过孔的高度基本相同。

6.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第二金属层的至少一部分构成所述第一通孔的内表面，并且

所述第一金属层和所述第二金属层在所述第一通孔中彼此物理接触。

7.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第二金属层和所述第三金属层在所述开口中彼此物理地间隔开。

8.根据权利要求3所述的半导体封装件，

其中，所述第一半导体芯片包括射频集成电路，

所述第二半导体芯片包括电源管理集成电路，并且

所述无源组件包括电感器和电容器中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，

其中，所述无源组件包括所述电感器和所述电容器，

所述第一金属层和所述第三金属层延伸到所述第一包封剂上以覆盖所述电容器的正上方的区域，而不覆盖所述电感器的正上方的区域，

所述第一金属过孔将所述第一金属层连接到所述电容器的正上方的区域中的所述金属图案层，或者第三金属过孔将所述第三金属层连接到所述电容器的正上方的区域中的所述金属图案层，

所述第三金属过孔穿过所述第二包封剂，并且

所述第三金属过孔的高度与所述第一金属过孔的高度基本相同。