[发明专利]三维半导体存储器装置在审
申请号: | 201910949878.2 | 申请日: | 2019-10-08 |
公开(公告)号: | CN111009528A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 白石千;林根元;申载勋;李明根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11556 | 分类号: | H01L27/11556 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 半导体 存储器 装置 | ||
公开了一种三维半导体存储器装置,所述三维半导体存储器装置包括:第一衬底上的外围电路结构;外围电路结构上的第二衬底;第一堆叠结构至第四堆叠结构,它们在第二衬底上在第一方向上间隔开;第一支承连接件和第二支承连接件,它们在第二堆叠结构与第三堆叠结构之间;第三支承连接件和第四支承连接件,它们在第三堆叠结构与第四堆叠结构之间;以及穿通电介质图案,其穿过第一堆叠结构和第二衬底。第一支承连接件与第二支承连接件之间的第一距离与第三支承连接件与第四支承连接件之间的第二距离不同。
相关申请的交叉引用
本美国非临时申请要求于2018年10月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0120033的优先权,该申请的全部内容以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明构思涉及三维半导体存储器装置,并且更具体地说,涉及可靠性提高的三维半导体存储器装置。
背景技术
半导体装置已高度集成,以满足消费者对高性能和低制造成本的需求。由于半导体装置的集成度是决定产品价格的一个重要因素,因此逐渐要求高的集成度。典型的二维和/或平面半导体装置的集成主要由单位存储器单元所占的面积决定,因此它很大程度上受到形成精细图案的技术水平的影响。然而,增加图案细度所需的极其昂贵的处理设备可能对增加二维和/或平面半导体装置的集成度形成实际限制。因此,提出了具有三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置。
发明内容
本发明构思的一些示例实施例提供具有提高的可靠性的半导体装置。
本发明构思的一个目的不限于上述这些,并且本领域技术人员从下面的描述中将清楚理解上面未提及的其它方面。
根据本发明构思的一些示例实施例,一种三维半导体存储器装置可包括:第一衬底上的外围电路结构;外围电路结构上的第二衬底;第一堆叠结构、第二堆叠结构、第三堆叠结构和第四堆叠结构,它们在第二衬底上在第一方向上间隔开;第一支承连接件和第二支承连接件,它们在第二堆叠结构与第三堆叠结构之间;第三支承连接件和第四支承连接件,它们在第三堆叠结构与第四堆叠结构之间;以及穿通电介质图案,其穿过第一堆叠结构和第二衬底。第一支承连接件与第二支承连接件之间的第一距离可与第三支承连接件与第四支承连接件之间的第二距离不同。
根据本发明构思的一些示例实施例,一种三维半导体存储器装置可包括:第一衬底上的外围电路结构;外围电路结构上的第二衬底;第一堆叠结构、第二堆叠结构、第三堆叠结构和第四堆叠结构,它们在第二衬底上在第一方向上间隔开;第二堆叠结构与第三堆叠结构之间的多个第一支承件;第三堆叠结构与第四堆叠结构之间的多个第二支承件;以及穿通电介质图案,其穿过第一堆叠结构和第二衬底。所述多个第一支承件的第一数量可大于所述多个第二支承件的第二数量。
根据本发明构思的一些示例实施例,一种三维半导体存储器装置可包括:第一衬底上的外围电路结构;外围电路结构上的第二衬底;第一堆叠结构、第二堆叠结构、第三堆叠结构和第四堆叠结构,它们在第二衬底上在第一方向上间隔开;第二堆叠结构与第三堆叠结构之间的多个第一支承件;第三堆叠结构与第四堆叠结构之间的多个第二支承件;以及穿通电介质图案,其穿过第一堆叠结构和第二衬底。所述多个第一支承件的第一平面面积之和可大于所述多个第二支承件的第二平面面积之和。
附图说明
图1示出了显示根据本发明构思的一些示例实施例的三维半导体存储器装置的简化立体图;
图2示出了显示根据本发明构思的一些示例实施例的三维半导体存储器装置的单元阵列的简化电路图;
图3示出了显示根据本发明构思的一些示例实施例的三维半导体存储器装置的平面图;
图4示出了显示根据本发明构思的一些示例实施例的三维半导体存储器装置的沿着图3的线I-I′截取的截面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的