[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 201910950282.4 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009532A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 朴埈贤;金瞳祐;文盛载;赵康文 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张晓;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一晶体管，包括半导体层、第一电极和第二电极以及第一栅电极和第二栅电极，所述第一电极和所述第二电极分别电连接到所述半导体层的源区和漏区，所述第一栅电极和所述第二栅电极与所述半导体层的沟道区对应并且彼此面对；以及
电容器，包括第一电容器电极、位于所述第一电容器电极上方的第二电容器电极和位于所述第一电容器电极下方的第三电容器电极，
其中，所述第一晶体管的所述第一栅电极电连接到所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的一个，并且
所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个电连接到所述第三电容器电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电容器的所述第二电容器电极和所述第三电容器电极彼此电连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括像素电极，
其中，所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个和所述电容器的所述第二电容器电极电连接到所述像素电极。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括连接电极，所述连接电极电连接到所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个并电连接到所述电容器的所述第二电容器电极，
其中，所述像素电极电连接到所述连接电极。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述第一栅电极从所述电容器的所述第三电容器电极延伸。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述第二栅电极从所述电容器的所述第一电容器电极延伸。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个从所述电容器的所述第二电容器电极延伸。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述第一栅电极和所述电容器的所述第三电容器电极设置在同一层中，并且
所述第一晶体管的所述第二栅电极和所述电容器的所述第一电容器电极设置在同一层中，并且
所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极以及所述电容器的所述第二电容器电极设置在同一层中。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第二晶体管，所述第二晶体管连接在所述第一晶体管的所述第二栅电极与数据线之间。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第三晶体管，所述第三晶体管连接在所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与感测线之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
