[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201910950282.4 | 申请日: | 2019-10-08 |
公开(公告)号: | CN111009532A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 朴埈贤;金瞳祐;文盛载;赵康文 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第一晶体管,包括半导体层、第一电极和第二电极以及第一栅电极和第二栅电极,第一电极和第二电极分别电连接到半导体层的源区和漏区,第一栅电极和第二栅电极与半导体层的沟道区对应并且彼此面对;以及电容器,包括第一电容器电极、位于第一电容器电极上方的第二电容器电极和位于第一电容器电极下方的第三电容器电极。
技术领域
示例性实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种包括双栅极晶体管的显示装置。
背景技术
诸如有机发光显示装置或液晶显示装置等的显示装置包括阵列基底,阵列基底包括薄膜晶体管(“TFT”)、电容器和多条布线。阵列基底包括诸如TFT、电容器和多条布线的精细图案,并且显示装置经由TFT、电容器以及多条布线之间的复杂连接来操作。
近期,随着对具有高分辨率的紧凑的显示装置的需求一直在增加,对包括在显示装置中的TFT、电容器和布线的高效空间布置、连接结构和驱动方法的需求和对通过这样的显示装置实现的图像质量的改善的需求也一直在增加。
发明内容
示例性实施例包括其中可以改善晶体管的特性并且可以确保电容器的容量的显示装置。
附加的示例性实施例将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将通过描述而清楚,或者可以通过给出的实施例的实践来获悉。
在示例性实施例中,显示装置包括:第一晶体管,包括半导体层、第一电极和第二电极以及第一栅电极和第二栅电极,第一电极和第二电极分别电连接到半导体层的源区和漏区,第一栅电极和第二栅电极与半导体层的沟道区对应并且彼此面对;以及电容器,包括第一电容器电极、位于第一电容器电极上方的第二电容器电极和位于第一电容器电极下方的第三电容器电极,其中,第一晶体管的第一栅电极电连接到第一晶体管的第一电极和第二电极中的一个,并且第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个电连接到第三电容器电极。
在示例性实施例中,电容器的第二电容器电极和第三电容器电极可以彼此电连接。
在示例性实施例中,第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个和电容器的第二电容器电极可以电连接到像素电极。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括连接电极,连接电极电连接到第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个并电连接到电容器的第二电容器电极,其中,像素电极电连接到连接电极。
在示例性实施例中,第一晶体管的第一栅电极可以从电容器的第三电容器电极延伸。
在示例性实施例中,第一晶体管的第二栅电极可以从电容器的第一电容器电极延伸。
在示例性实施例中,第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个可以从电容器的第二电容器电极延伸。
在示例性实施例中,第一晶体管的第一栅电极和电容器的第三电容器电极可以设置在同一层中,并且第一晶体管的第二栅电极和电容器的第一电容器电极可以设置在同一层中,并且第一晶体管的第一电极和第二电极以及电容器的第二电容器电极可以设置在同一层中。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括第二晶体管,第二晶体管连接在第一晶体管的第二栅电极与数据线之间。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括第三晶体管,第三晶体管连接在第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个与感测线之间。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括发光器件,发光器件连接到第一晶体管,其中,发光器件包括:像素电极,连接到第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个;对电极,面对像素电极;以及发射层,位于像素电极与对电极之间。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括电力线,电力线电连接到对电极并且设置为与第一晶体管相邻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910950282.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的