[发明专利]异物检测装置、曝光装置以及物品的制造方法有效
申请号: | 201910951717.7 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN111045291B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 中野裕己 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F7/20;G01N21/94 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 许海兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 异物 检测 装置 曝光 以及 物品 制造 方法 | ||
1.一种异物检测装置,检测透明部件上的异物,该异物检测装置的特征在于,具有:
照射部,对所述透明部件斜着照射光;
受光部,检测来自被所述照射部照射了所述光的所述透明部件上的异物的散射光;以及
处理部,进行检测所述异物的处理,
所述处理包含:
第一模式,将所述照射部与所述受光部的相对位置设为所述照射部与所述受光部之间的距离为第一距离的第一状态,基于在所述第一状态下由所述受光部检测的所述散射光的分布来检测所述异物;以及
第二模式,将所述照射部与所述受光部的相对位置设为所述照射部与所述受光部之间的距离为比所述第一距离长的第二距离的第二状态,基于在所述第二状态下由所述受光部检测的所述散射光的分布来检测所述异物,
所述处理部取得表示所述透明部件的侧面是研磨面还是粗磨面的信息,根据所述信息来选择所述第一模式或所述第二模式。
2.根据权利要求1所述的异物检测装置,其特征在于,
所述处理部在所述信息表示所述透明部件的侧面为研磨面的情况下选择所述第一模式,在所述信息表示所述透明部件的侧面为粗磨面的情况下选择所述第二模式。
3.根据权利要求1所述的异物检测装置,其特征在于,
所述第一距离与所述第二距离之差为10mm以上且20mm以下。
4.根据权利要求1所述的异物检测装置,其特征在于,
所述第一状态是所述照射部的光轴与所述透明部件的表面的交点和所述受光部的光轴与所述透明部件的表面的交点一致的状态,
所述第二状态是所述照射部的光轴与所述透明部件的表面的交点和所述受光部的光轴与所述透明部件的表面的交点不一致的状态。
5.根据权利要求1所述的异物检测装置,其特征在于,还具有:
生成部,基于由在所述第一状态下从所述照射部照射到所述透明部件的光在所述透明部件上形成的强度分布和由在所述第二状态下从所述照射部照射到所述透明部件的光在所述透明部件上形成的强度分布,生成所述信息,
所述处理部从所述生成部取得所述信息。
6.根据权利要求5所述的异物检测装置,其特征在于,
在由在所述第一状态下从所述照射部照射到所述透明部件的光在所述透明部件上形成的强度分布和由在所述第二状态下从所述照射部照射到所述透明部件的光在所述透明部件上形成的强度分布之差为阈值以下的情况下,所述生成部生成表示所述透明部件的侧面为研磨面的所述信息,
在由在所述第一状态下从所述照射部照射到所述透明部件的光在所述透明部件上形成的强度分布和由在所述第二状态下从所述照射部照射到所述透明部件的光在所述透明部件上形成的强度分布之差比所述阈值大的情况下,所述生成部生成表示所述透明部件的侧面为粗磨面的所述信息。
7.根据权利要求1所述的异物检测装置,其特征在于,
所述照射部包含:
光源,射出所述光;以及
光阑,包含规定从所述光源射出的所述光的宽度的开口,
所述异物检测装置还具有照射控制部,该照射控制部基于所述光阑的所述开口的大小控制从所述光源射出的所述光的光量。
8.根据权利要求7所述的异物检测装置,其特征在于,
所述照射控制部基于所述透明部件的厚度确定所述光阑的所述开口的大小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910951717.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数值控制方法以及处理装置
- 下一篇:信息处理装置和存储介质
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备