[发明专利]半导体处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理装置，包括净化区域和设置于所述净化区域侧边的晶圆暂存区，所述净化区域包括进气装置和排气装置，所述晶圆暂存区包括排气端，其特征在于，所述处理装置还包括：

压力监测装置，所述压力监测装置设置在所述排气端，用于检测所述排气端的排气压力；及

气体控制装置，所述气体控制装置连接所述晶圆暂存区，并与所述压力监测装置通信连接，用于根据所述压力监测装置的信号控制输入所述晶圆暂存区的气体。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述气体控制装置包括气体输入单元和控制单元，所述控制单元与所述压力监测装置通信连接，控制所述气体输入单元的送气流量和送气角度。

3.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述晶圆暂存区包括暂存室，所述暂存室包括暂存室顶面、与所述暂存室顶面相对的暂存室底面及连接所述暂存室顶面与所述暂存室底面的暂存室侧面；所述气体输入单元设置在所述暂存室侧面。

4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述气体输入单元与所述暂存室侧面可转动地连接。

5.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述暂存室包括多个侧储层，所述多个侧储层在所述暂存室内自所述暂存室底面向所述暂存室顶面依次排布，所述气体输入单元设置于每个侧储层靠近所述暂存室顶面的一端对应的所述暂存室侧面上。

6.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，所述气体输入单元距离每个所述侧储层顶面的水平高度是每个所述侧储层水平高度的10％～20％。

7.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，每个所述侧储层侧面上开设有辅进气口，所述气体输入单元与各所述辅进气口连通，并通过各所述辅进气口向各所述侧储层内通入气体。

8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述气体控制装置还包括流量监测单元，所述流量监测单元与所述气体输入单元通信连接，用于实时监测所述气体输入单元的流量。

9.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，还包括与所述压力监测装置或/和所述气体控制装置通信连接的报警装置。

10.根据权利要求3-9任一所述的半导体处理装置，其特征在于，所述暂存室的一侧面区域暴露在所述净化区域的所述进气装置提供的气流中。