[发明专利]半导体处理装置

说明书

本发明涉及一种半导体处理装置，包括净化区域和设置于所述净化区域侧边的晶圆暂存区，所述净化区域包括进气装置和排气装置，所述晶圆暂存区包括排气端、压力监测装置及气体控制装置；所述压力监测装置设置在所述排气端，用于检测所述排气端的排气压力；所述气体控制装置连接所述晶圆暂存区，并与所述压力监测装置通信连接，用于根据所述压力监测装置的信号控制输入所述晶圆暂存区的气体。上述的半导体处理装置，使得气体的流动能够带走晶圆表面残留的气体，从而能够防止晶圆暂存区的晶圆发生凝结现象。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体处理装置。

背景技术

晶圆制造包括多道不同的工艺，在每道工艺完成后，晶圆表面容易残留反应气体，晶圆由上一道工艺站点传送至下一道工艺站点的过程中，晶圆表面残留的反应气体将会与大气中的气体产生反应，在晶圆表面产生凝结现象。

现有的解决方法为将完成当下工艺的晶圆移出工艺区域，进入净化系统进行净化处理，净化系统中设置有存放晶圆的暂存区，由于净化系统固有设计的缺陷，使得位于暂存区的晶圆由于气流不足，容易产生凝结现象。

发明内容

基于此，有必要针对现有的净化系统由于固有设计的缺陷，使得位于暂存区的晶圆由于气流不足，容易产生凝结现象，提供一种半导体处理装置。

一种半导体处理装置，包括净化区域和设置于所述净化区域侧边的晶圆暂存区，所述净化区域包括进气装置和排气装置，所述晶圆暂存区包括排气端，所述处理装置还包括：

压力监测装置，所述压力监测装置设置在所述排气端，用于检测所述排气端的排气压力；及

气体控制装置，所述气体控制装置连接所述晶圆暂存区，并与所述压力监测装置通信连接，用于根据所述压力监测装置的信号控制输入所述晶圆暂存区的气体。

在其中一个实施例中，所述气体控制装置包括气体输入单元和控制单元，所述控制单元与所述压力监测装置通信连接，控制所述气体输入单元的送气流量和送气角度。

在其中一个实施例中，所述晶圆暂存区包括暂存室，所述暂存室包括暂存室顶面、与所述暂存室顶面相对的暂存室底面及连接所述暂存室顶面与所述暂存室底面的暂存室侧面；所述气体输入单元设置在所述暂存室侧面。

在其中一个实施例中，所述气体输入单元与所述暂存室侧面可转动地连接。

在其中一个实施例中，所述暂存室包括多个侧储层，所述多个侧储层在所述暂存室内自所述暂存室底面向所述暂存室顶面依次排布，所述气体输入单元设置于每个侧储层靠近所述暂存室顶面的一端对应的所述暂存室侧面上。

在其中一个实施例中，所述气体输入单元距离每个所述侧储层顶面的水平高度是每个所述侧储层水平高度的10％～20％。

在其中一个实施例中，每个所述侧储层侧面上开设有辅进气口，所述气体输入单元与各所述辅进气口连通，并通过各所述辅进气口向各所述侧储层内通入气体。

在其中一个实施例中，所述气体控制装置还包括流量监测单元，所述流量监测单元与所述气体输入单元通信连接，用于实时监测所述气体输入单元的流量。

在其中一个实施例中，还包括与所述压力监测装置或/和所述气体控制装置通信连接的报警装置。

在其中一个实施例中，所述暂存室的一侧面区域暴露在所述净化区域的所述进气装置提供的气流中。

本申请的半导体处理装置，通过在晶圆暂存区设置暂存室、排气端、气体控制装置及在排气端设置压力监测装置，压力监测装置检测排气端的排气压力，气体控制装置根据压力监测装置的信号控制输入晶圆暂存区的气体从而加强晶圆暂存区的气体层流，使得气体的流动能够带走晶圆表面残留的气体，从而能够防止晶圆暂存区的晶圆发生凝结现象。

附图说明