[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上形成多个间隔排布的位元线结构；

在所述位元线结构的侧壁上形成位元线隔离结构；

于所述位元线隔离结构之间沉积接触插塞材料层，所述接触插塞材料层的顶表面低于所述位元线隔离结构的顶表面；

于所述接触插塞材料层和所述位元线隔离结构表面形成第一牺牲材料层，图案化所述第一牺牲材料层和所述接触插塞材料层，以于相邻所述位元线隔离结构之间的所述接触插塞材料层中形成间隙；

沉积绝缘材料于所述间隙中以形成相互间隔的接触插塞。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述位元线隔离结构的步骤包括：

在所述位元线结构侧壁上形成第一绝缘层；

在形成有所述第一绝缘层的半导体衬底上依次形成第二牺牲材料层和第二绝缘层，其中所述第二牺牲材料层设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，还包括：

刻蚀掉所述第一牺牲材料层；

刻蚀掉所述第二牺牲材料层，在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间形成空气间隔；

所述第一牺牲材料层与所述第二牺牲材料层材料相同。

4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二牺牲材料层是由相对于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层具有刻蚀选择性的材料形成。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述接触插塞材料层，包括：

沉积用于填充相邻的所述位元线隔离结构之间沟槽的导电材料层；

对所述导电材料层进行回刻蚀，形成所述接触插塞材料层。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在图案化所述第一牺牲材料层和所述接触插塞材料层之前，还包括：

在形成所述第一牺牲材料层的所述半导体衬底上依次形成硬掩膜层、抗反射层和光刻胶层；

在所述光刻胶层中形成目标图案；

将所述目标图案转移到所述抗反射层，形成第一掩膜图案，并去除所述光刻胶层；

在所述第一掩膜图案上沉积第三牺牲材料层，形成第二掩膜图案；

将所述第二掩膜图案转移到所述硬掩膜层；

去除所述第三牺牲材料层；

去除所述抗反射层，将所述第一掩膜图案转移到所述硬掩膜层；

其中，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案间隔排布。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，图案化所述第一牺牲材料层和所述接触插塞材料层，以于所述接触插塞材料层之间形成间隙，包括：

以所述硬掩膜层为掩膜，将所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案转移到所述第一牺牲材料层，图形化所述第一牺牲材料层，然后以所述第一牺牲材料层为掩膜，图形化所述接触插塞材料层，于所述接触插塞材料层之间形成所述间隙。

8.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述第一牺牲材料层；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉所述第二牺牲材料层。

9.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，还包括沉积绝缘材料于所述空气间隔的顶端，形成封闭的空气间隔。

10.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述导电材料层为多晶硅层。