[发明专利]制造图像传感器的方法

权利要求书

1.一种制造图像传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底中包括感光单元阵列；

在所述衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包括与所述感光单元阵列对应地设置的第一部分以及与所述第一部分相邻的第二部分；

去除所述第一材料层的第二部分，以在所述第一材料层中形成多个沟槽；

形成第二材料层，所述第二材料层覆盖在所述第一材料层的第一部分上并且覆盖所述多个沟槽中的各沟槽的侧壁和底部；

形成金属层，所述金属层覆盖在所述第二材料层上并填充所述多个沟槽中的各沟槽；

去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分，以保留所述多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层；

去除所述第一材料层的第一部分，以形成多个第一开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过干法蚀刻去除所述第一材料层的第二部分，以在所述第一材料层中形成多个沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过化学机械抛光方法去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分，以保留所述多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料层和所述第二材料层被配置为具有蚀刻选择性，其中通过湿法蚀刻去除所述第一材料层的第一部分，以形成多个第一开口。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在形成所述第一材料层之前，在所述衬底上形成第三材料层，所述第三材料层被配置为相对于所述第一材料层具有蚀刻选择性并且作为形成所述多个沟槽的蚀刻停止层。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一材料层由SiN形成，以及所述第二材料层由SiO₂形成。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第三材料层由SiO₂形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层由钨、铝或铜中的任一种形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在形成所述第一材料层之前，在所述衬底上形成抗反射层。

10.一种制造电子装置的方法，其特征在于，所述方法包括使用权利要求1至9中任一项所述的方法来制造图像传感器。