[发明专利]制造图像传感器的方法

说明书

本公开涉及制造图像传感器的方法。提供了一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：提供衬底，衬底中包括感光单元阵列；在衬底上形成第一材料层，该第一材料层包括与感光单元阵列对应地设置的第一部分以及与第一部分相邻的第二部分；去除第一材料层的第二部分，以在第一材料层中形成多个沟槽；形成第二材料层，所述第二材料层覆盖在第一材料层的第一部分上并且覆盖多个沟槽中的各沟槽的侧壁和底部；形成金属层，所述金属层覆盖在第二材料层上并填充所述多个沟槽中的各沟槽；去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分，以保留多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层；去除所述第一材料层的第一部分，以形成多个第一开口。

技术领域

本公开整体地涉及成像领域，并且更具体地来说，涉及制造图像传感的方法。

背景技术

许多现代电子设备涉及使用图像传感器的电子装置，例如，单反相机、普通数码相机、摄像机、手机、汽车电子等等。可由互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或电荷耦合装置(CCD)技术来制造常规图像传感器。典型的图像传感器的操作如下:光入射在微透镜上，微透镜通过滤光器将光聚焦到感光单元上。感光单元将光转换为与入射光的强度成比例的电信号。在图像传感器中，感光单元中电信号被耦合到放大及读出电路(例如CMOS晶体管)以基于感光单元中所捕获的光来产生图像。

标准的IC制造工艺能够使用前照式(“FSI”)的图像传感器和背照式(“BSI”)的图像传感器。在FSI图像传感器中，金属层安置在微透镜与感光单元之间。在制造使用FSI技术的图像传感器期间，因此产生穿过金属层的通道用于光从微透镜行进到感光单元。然而，在FSI图像传感器中，穿过该通道到达感光单元的光会衰减，从而导致感光单元的量子效率降低，并导致图像传感器的敏感度下降。此外，光在FSI图像传感器中的不同材料之间的界面处的内反射可以引起后发射，其继而可从金属层的底部侧离开而反射到邻近感光单元内，从而导致光学串扰。

在使用BSI的图像传感器中，金属层、多晶硅层、扩散层位于衬底的一侧上且感光单元暴露于来自衬底另一侧的光。因此，不需要产生穿过金属堆叠抵达感光单元的路径。然而，BSI图像传感器在各像素单元之间也可能会存在串扰。

因此，本领域中一直存在对具有改善的像素单元隔离的图像传感器的需求。

发明内容

本公开的目的之一是提供一种制造图像传感器和电子装置的方法。

根据本公开的一方面，提供了一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底中包括感光单元阵列；在所述衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包括与所述感光单元阵列对应地设置的第一部分以及与所述第一部分相邻的第二部分；去除所述第一材料层的第二部分，以在所述第一材料层中形成多个沟槽；形成第二材料层，所述第二材料层覆盖在所述第一材料层的第一部分上并且覆盖所述多个沟槽中的各沟槽的侧壁和底部；形成金属层，所述金属层覆盖在所述第二材料层上并填充所述多个沟槽中的各沟槽；去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分，以保留所述多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层；去除所述第一材料层的第一部分，以形成多个第一开口。

根据本公开的另一个方面，提供了一种制造电子装置的方法，所述方法包括使用如上所述的方法来制造图像传感器。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的制造图像传感器的流程图；

图2-图11分别示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的制造图像传感器的各个步骤处的示意性截面图。