[发明专利]一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构

权利要求书

1.一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，其特征在于：多个高频通道电路基板、馈电电路基板、多个放大器芯片与偏置电路，所述高频通道电路基板的数量至少为三个，所述馈电电路基板的数量比所述高频通道电路基板的数量少一个，所述放大器芯片的数量比所述高频通道电路基板的数量少一个，多个所述高频通道电路基板与多个放大器芯片间隔设置依次串接，所述偏置电路为复合偏置电路，所述复合偏置电路的组数至少为两组，与所述放大器芯片的数量对应，所述复合偏置电路包括第一分复合偏置电路板与第二分复合偏置电路板，分别设置在所述放大器芯片的两侧，所述馈电电路基板设置在相邻两组所述复合偏置电路中同侧的两个分复合偏置电路板之间，并与其连接，所述复合偏置电路板包括电路基片、金属化图形电容与金属化图形薄膜电路板，所述金属化图形电容与所述金属化图形薄膜电路板均设置在所述电路基片表面，所述金属化图形电容与所述放大器芯片的漏级或栅极焊盘连接，所述金属化图形薄膜电路板与同一电路基片上的所述金属化图形电容连接，并与所述馈电电路基板连接，所述金属化图形电容与所述金属化图形薄膜电路板的具体连接要求根据所述放大器芯片的偏置电路设计要求确定。

2.根据权利要求1所述的一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，其特征在于：每个所述金属化图形电容的大小、数量与分布方式均由所述放大器芯片电路容值匹配要求和所述放大器芯片的尺寸大小决定。

3.根据权利要求1所述的一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，其特征在于：所述金属化图形电容为方形，其数量为多个，呈阵列分布。

4.根据权利要求3所述的一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，所述金属化图形电容分布方式与数量为一排阵列4个电容排布、一排阵列3个电容排布、两排阵列6个电容排布与两排阵列8个电容排布中任一种。

5.根据权利要求1所述的一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，其特征在于：所述金属化图形薄膜电路板为长条形，其数量由整个放大电路级数要求决定，其宽度由所述放大器芯片栅极与漏级的电流要求决定。

6.根据权利要求5所述的一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，其特征在于：所述金属化图形薄膜电路板的数量为一条或两条。

7.根据权利要求1所述的一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，其特征在于：所述复合偏置电路利用介质材料做电路基片，通过溅射或蒸发工艺，在其上下表面形成金属化层，利用刻蚀工艺在表面刻蚀出阵列分布的方形金属化图形电容和长条形金属化图形薄膜电路板。

8.根据权利要求7所述的一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，其特征在于：所述介质材料选自陶瓷、二氧化硅、复合介质材料中任一种，其上下表面的金属化层厚度为0.15um～2.5um。

9.根据权利要求1所述的一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构，其特征在于：所述电路基片的类型与厚度根据所述放大器芯片对偏置电容容值大小的要求来选择。