[发明专利]一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构有效
申请号: | 201910958745.1 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN110717306B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 周霞;解启林 | 申请(专利权)人: | 博微太赫兹信息科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/36 | 分类号: | G06F30/36;G06F30/392 |
代理公司: | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人: | 王林 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 薄膜 电路设计 实现 多级 放大器 芯片 馈电 电路 结构 | ||
本发明公开了一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构,属于微波技术领域,包括多个高频通道电路基板、馈电电路基板、多个放大器芯片与偏置电路。本发明解决了放大器两侧不同规格的电容分布零散、装配效率及分布问题,降低了设计与制造成本,在保证设计区域大小的同时使缩短工序成为可能;可以实现对放大器芯片的馈电,并可以给下一级放大器芯片提供电源通路;复合偏置电路方形金属化图形电容容值也不需要精确控制,电路互联图形根据放大电路匹配需求进行设计也比较随意、灵活;复合偏置电路更小巧、更便于贴装,可以很好地解决在封装中因器件之间间隔小而导致导电胶的堆积所引起的短路问题。
技术领域
本发明涉及微波技术领域,具体涉及一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构。
背景技术
在微波高频电路中,现有的射频功率放大电路由功率放大器、匹配电路、馈电电路、隔直电容、传输线等组成,其中常见的馈电方式是采用微带线与不同容值的芯片电容组成的馈电网络。其中,芯片电容的容值大小与数量根据芯片电路容值匹配要求设置来确定大小、数量及分布,这就要求馈电网络所处的空间比较大,需要保证各不同规格电容之间的距离,以免粘贴电容的导电胶溢出造成电路短路。
随着模块集成度和频段的提高,在有限的布局平面内放置更多不同规格的电容,尺寸越小电容贴装越难,相邻器件之间的间隔也会更小,操作技能要求越高,在芯片电容贴装过程中,因导电胶的胶量控制难度大,多余胶量容易溢出引起短路。为此,提出一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于:如何解决常规放大器芯片多级电路馈电与对应小型偏置电容排布难的问题,并且使得构成电路的元件数量达到最少,而且不影响高频传输通道正常工作,提供了一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构。
本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题的,本发明包括多个高频通道电路基板、馈电电路基板、多个放大器芯片与偏置电路,所述高频通道电路基板的数量至少为三个,所述馈电电路基板的数量比所述高频通道电路基板的数量少一个,所述放大器芯片的数量比所述高频通道电路基板的数量少一个,多个所述高频通道电路基板与多个放大器芯片间隔设置依次串接,所述偏置电路为复合偏置电路,所述复合偏置电路的组数至少为两组,与所述放大器芯片的数量对应,所述复合偏置电路包括第一分复合偏置电路板与第二分复合偏置电路板,分别设置在所述放大器芯片的两侧,所述馈电电路基板设置在相邻两组所述复合偏置电路中同侧的两个分复合偏置电路板之间,并与其连接。通过所述复合偏置电路可对当前放大器芯片进行馈电,并通过所述馈电电路基板可给下一级放大器芯片提供电源通路。所述复合偏置电路板包括电路基片、金属化图形电容与金属化图形薄膜电路板,所述金属化图形电容与所述金属化图形薄膜电路板均设置在所述电路基片表面,所述金属化图形电容与所述放大器芯片的漏级或栅极焊盘连接,所述金属化图形薄膜电路板与同一电路基片上的所述金属化图形电容连接,并与所述馈电电路基板连接,所述金属化图形电容与所述金属化图形薄膜电路板的具体连接要求根据所述放大器芯片的偏置电路设计要求确定。
该利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构,解决了放大器两侧不同规格的电容分布零散、装配效率及分布问题,降低了设计与制造成本,在保证设计区域大小的同时使缩短工序成为可能;复合偏置电路方形金属化图形电容容值也不需要精确控制,电路互联图形根据放大电路匹配需求进行设计也比较随意、灵活;复合偏置电路更小巧、更便于贴装,可以很好地解决在封装中因器件之间间隔小而导致导电胶的堆积所引起的短路问题,值得被推广使用。
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