[发明专利]阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板以及并列设置在所述衬底基板上的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极；

其中，所述第一晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第二晶体管为金属氧化物晶体管；

所述阵列基板还包括光敏二极管，所述光敏二极管包括第一光敏电极、第二光敏电极以及设置在所述第一光敏电极和所述第二光敏电极之间的光敏层，所述第一光敏电极与所述第一晶体管的第一栅极电连接；

所述第一光敏电极设置在所述光敏层靠近所述第一晶体管的一侧，所述第一光敏电极为金属电极且所述第一光敏电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述衬底基板上的正投影。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光敏二极管和所述第一晶体管之间依次设置有第一钝化层和第一平坦层，所述第一钝化层和所述第一平坦层中设置有第一通孔，所述第一通孔中填充有第一连接电极，所述第一光敏电极通过第一连接电极与所述第一栅极电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管为顶栅型晶体管，包括依次设置在所述衬底基板上的低温多晶硅有源层、所述第一栅极、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、第一源/漏电极，所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层中设置有第二通孔，所述第二通孔中填充第二连接电极，所述第二连接电极分别与所述第一连接电极和第一栅极电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的遮光层、金属氧化物有源层、第二栅极、所述第二层间绝缘层、第二源/漏电极，所述遮光层和所述第一栅极同层设置，所述第二源/漏电极、所述第一源/漏电极和所述第二连接电极同层设置。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述光敏二极管远离所述衬底基板一侧的发光器件，所述发光器件在所述衬底基板上的正投影与所述光敏二极管在所述衬底基板上的正投影不交叠。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，发光器件和所述光敏二极管之间依次设置有第二平坦层和第二钝化层，所述第二钝化层远离所述第二平坦层的一侧设置有第一引线，所述第一引线通过贯穿所述第二平坦层和所述第二钝化层的第七通孔与所述第二光敏电极电连接，所述发光器件包括阳极层、发光层、阴极层，所述阳极层和所述第一引线同层设置。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第四晶体管为金属氧化物晶体管，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极电连接，所述第四晶体管的第二极与所述发光器件电连接。

8.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成并列设置的第一晶体管和第二晶体管；

形成光敏二极管；

其中，所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极；

其中，所述第一晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第二晶体管为金属氧化物晶体管；

所述光敏二极管包括第一光敏电极、第二光敏电极以及设置在所述第一光敏电极和所述第二光敏电极之间的光敏层，所述第一光敏电极与所述第一晶体管的第一栅极电连接；

在形成所述第一晶体管和第二晶体管之后，执行以下步骤：

在所述第一晶体管和所述第二晶体管上形成第一平坦材料层和第一钝化材料层，对所述第一平坦材料层和所述第一钝化材料层进行一次构图工艺以形成贯穿其中的第一通孔；

形成第一光敏电极材料层并进行图案化工艺以形成填充在所述第一通孔中的第一连接电极和第一光敏电极。