[发明专利]阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201910961564.4 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN110634890B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 周天民;黄睿;杨维;王利忠;强朝辉;杨涛;强力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77;G06V40/13 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 电子 装置 制作方法 | ||
本申请公开了一种阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底基板以及并列设置在其上的第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的第一极连接第二晶体管的第二极;阵列基板还包括光敏二极管,光敏二极管包括第一光敏电极、第二光敏电极以及设置在第一光敏电极和第二光敏电极之间的光敏层,第一光敏电极与第一晶体管的第一栅极电连接。在上述设置中,第一晶体管和第二晶体管的输入端和输出端连接,以形成一个控制电路,该控制电路的均一性和稳定性大幅提升,当功能模块(例如:指纹识别模块)集成于显示面板时,指纹识别模块中的光敏二极管与控制电路连接时,控制电路能够更好地接收光敏二极管发出的电信号。
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法。
背景技术
随着科技的进步,用户越来越追求窄边框和高屏占比的智能设备,从而促使设计者将智能设备的需要占用边框空间的功能模块(例如:指纹识别模块)集成于显示面板中。
但是,显示面板中的晶体管通常为单一的金属氧化物晶体管或者单一的低温多晶硅晶体管。当显示面板中的晶体管为单一的金属氧化物晶体管时,金属氧化物晶体管与光敏二极管连接,金属氧化物晶体管的稳定性差;当显示面板中的晶体管为单一的低温多晶硅晶体管时,低温多晶硅晶体管与光敏二极管连接,低温多晶硅晶体管的漏电流高、均一性差。两者均无法实现在保证显示面板正常显示的同时,将功能模块良好地集成于显示面板中。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法,其可提高第一晶体管和第二晶体管组成的控制单元的均一性和稳定性。
根据本申请的第一方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板以及并列设置在所述衬底基板上的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极;
其中,所述第一晶体管为低温多晶硅晶体管,所述第二晶体管为金属氧化物晶体管;
所述阵列基板还包括光敏二极管,所述光敏二极管包括第一光敏电极、第二光敏电极以及设置在所述第一光敏电极和所述第二光敏电极之间的光敏层,所述第一光敏电极与所述第一晶体管的第一栅极电连接。
进一步的,所述第一光敏电极设置在所述光敏层靠近所述第一晶体管的一侧,所述第一光敏电极为金属电极且所述第一光敏电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述衬底基板上的正投影。
进一步的,所述光敏晶体管和所述第一晶体管之间依次设置有第一钝化层和第一平坦层,所述第一钝化层和所述第一平坦层中设置有第一通孔,所述第一通孔中填充有第一连接电极,所述第一光敏电极通过第一连接电极与所述第一栅极电连接。
进一步的,所述第一晶体管为顶栅型晶体管,包括依次设置在所述衬底基板上的低温多晶硅有源层、所述第一栅极、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、第一源/漏电极,所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层中设置有第二通孔,所述第二通孔中填充第二连接电极,所述第二连接电极分别与所述第一连接电极和第一栅极电连接。
进一步的,所述第二晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的遮光层、金属氧化物有源层、第二栅极、所述第二层间绝缘层、第二源/漏电极,所述遮光层和所述第一栅极同层设置,所述第二源/漏电极、所述第一源/漏电极和所述第二连接电极同层设置。
进一步的,所述阵列基板还包括设置在所述光敏二极管远离所述衬底基板一侧的发光器件,所述发光器件在所述衬底基板上的正投影与所述光敏二极管在所述衬底基板上的正投影不交叠。
进一步的,发光器件和所述光敏二极管之间依次设置有第二平坦层和第二钝化层,所述第二钝化层远离所述第二平坦层的一侧设置有第一引线,所述第一引线通过贯穿所述第二平坦层和所述第二钝化层的第七通孔与所述第二光敏电极电连接,所述发光器件包括阳极层、发光层、阴极层,所述阳极层和所述第一引线同层设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的