[发明专利]SiC基板的评价方法和SiC外延晶片的制造方法

权利要求书

1.一种SiC基板的评价方法，在层叠外延层之前的SiC基板中，对相对于{0001}面具有偏离角的第1面，以1毫秒以上且10秒以下的照射时间和/或1W/cm²以下的强度来照射激励光，提取从所述第1面发出的光致发光的光之中波段为405nm以上且445nm以下的光，

对沿相对于偏离方向大致正交的方向以带状延伸、与偏离方向大致正交的方向的长度相对于偏离方向的宽度长、且长宽比即长度/宽度为2以上的带状堆垛层错进行观察，所述偏离方向是将所述{0001}面的法线向量投影到所述SiC基板的所述第1面上得到的向量的方向。

2.根据权利要求1所述的SiC基板的评价方法，

所述激励光的波长为200nm以上且390nm以下。

3.根据权利要求1所述的SiC基板的评价方法，

所述带状堆垛层错是沿相对于偏离方向大致正交的方向以带状延伸的单层肖克利型的堆垛层错。

4.一种SiC外延晶片的制造方法，具有评价工序、判定工序和层叠工序，

所述评价工序中，采用权利要求1～3中任一项所述的SiC基板的评价方法，对所述SiC基板的所述第1面进行评价，

所述判定工序中，基于所述评价工序的结果，对是否层叠外延层进行判定，

所述层叠工序中，基于所述判定工序的结果，在所述第1面层叠外延层。